1、名称不同：晶闸管简称为SCR，IGBT的中文名称为绝缘栅双极型晶体管。
2、材料不同： IGBT为全控型器件，SCR为半控型器件。
3、控制方式不同： SCR是通过电流来控制，IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断。
4、开关频率不同： SCR的开关时间较长，所以频率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的开关频率较高。IGBT模块可达30KHZ左右，IGBT单管开关频率更高，达50KHZ以上。
5、市场前景不同：IGBT在逐步替代晶闸管，晶闸管在市场上的份额越来越少。
扩展资料
晶闸管和IGBT的应用：
1、IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
2、晶闸管被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
参考资料
什么是晶闸管,什么是IGBT
1、名称不同：晶闸管简称为SCR，IGBT的中文名称为绝缘栅双极型晶体管。2、材料不同： IGBT为全控型器件，SCR为半控型器件。3、控制方式不同： SCR是通过电流来控制，IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断。4、开关频率不同： SCR的开关时间较长，所以频率不能...
晶闸管和IGBT有什么区别?
- SCR：晶闸管是一个双极器件，工作原理基于自维持的电流冲击触发。一旦触发，它会继续导通，直到电流降至或降为零。SCR只能导通电流在一个方向。- IGBT：IGBT是双极性器件，结合了双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特点。IGBT的工作原理是通过控制栅极电压来控制P-N结的导通，因此可以导通和断...
晶闸管属于什么型器件
晶闸管属于电流型器件，而场效应管IGBT才是电压型器件。晶闸管一般是指“可控硅”。可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR,是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调...
晶闸管和IGBT有什么区别?
晶闸管又叫闸流管，它可以像开关一样通断电流，像闸门一样关停水流，它的核心作用就是一个字---“闸”；所以晶闸管有两个状态，一个是导通状态，一个是截至状态；晶闸管的状态怎么改变，它有一个控制极，又叫触发极，给触发极加控制电压，就可使晶闸管的状态反转；不同材料、不同结构的晶闸管，控制...
直流整流用晶闸管还是IGBT?
IGBT： IGBT是一种晶体管器件，具有MOSFET和晶闸管的特性结合。它适用于中高功率、高频率的应用，并具有更好的开关速度和可控性。IGBT通常用于需要精确电流和电压控制的应用，例如电机驱动、逆变器、电动车充电桩等。选择晶闸管还是IGBT应该考虑以下因素：电路的功率需求。控制要求，包括开关速度和精确度。整流...
晶闸管模块可以用igbt模块代替吗
晶闸管模块：晶闸管是一种双向导电的半导体器件，它能够在导通状态下维持电流。一旦触发，晶闸管将一直导通，直到电流降低到零或被外部手段关闭。适用于交流电源控制、电磁感应加热、直流电源变换等应用。IGBT模块：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种混合型功率半导体器件，具有MOSFET和双极型晶体管...
晶闸管和IGBT有什么区别17
晶闸管又叫闸流管，它可以像开关一样通断电流，像闸门一样关停水流，它的核心作用就是一个字---“闸”；所以晶闸管有两个状态，一个是导通状态，一个是截至状态；晶闸管的状态怎么改变，它有一个控制极，又叫触发极，给触发极加控制电压，就可使晶闸管的状态反转；不同材料、不同结构的晶闸管，控制...
二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解
三极管，又称双极型晶体管，主要有硅NPN和锗PNP两种。其由N型和P型半导体组成，发射结和集电结分别形成。发射极电子流通过发射结和集电结，实现电流放大。3. 晶闸管 晶闸管，又称可控硅，由四层半导体材料组成，有三个电极：阳极A、控制极G和阴极K。控制极通过触发脉冲使晶闸管导通，断开阳极电源或...
二极管,三极管,晶闸管,MOS,IGBT,都是有源(主动)器件吗?为什么?_百度知...
二极管、三极管、晶闸管、MOS和IGBT都属于有源器件。有源器件是指能够通过外部电源或信号源提供能量或控制信号的器件。这些器件能够放大电流或电压，或者在电路中控制电流的流动。二极管是一种二端器件，能够将电流只允许在一个方向上通过，具有整流功能，因此可以说是有源器件。三极管是一种三端器件，由基极...
烧电磁炉igbt的原因
首先，我们需要了解IGBT的原理。IGBT，即晶闸管-场效应晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），是一种半导体器件，它具有高电压、大电流、低开关损耗等优点。在电磁炉中，IGBT被用来控制电流，从而控制加热功率，因此它是电磁炉的核心部件。但是，这种器件也存在一些问题，导致烧坏的原因有以下三点：1.过...
