双管反激式电路在哪些情况下两MOS管会出现不均压（在MOS截止时Vds电压不相等） 希望各位大师能帮忙分析一

Question

在测试一个双管反激式电路时,发现两MOS在截止期间，出现了电压不均的现象而且这种情况就出现在低电压输入重载输出，或是高电压输入时，也就是在占空比较小的时候会出现，当占空比较大时就不会了，这是怎么回事啊，与漏感有关吗
注：两MOS的型号都是一样的,也没有元件损坏

Answer 1

把采样R换成电感、B中或Vcc进D这路上串丨：N采样、半波、全波、桥整流都可以、满足vpP｜v条件的反馈保护控制。栅下地不需接c、接c后会增加放电延时时间，对电路不利。

追问

電路原理上應該沒有什麼問題,謝謝你的建議,不過我覺得你還是沒有說到點上

追答

Rs在－管s串入、Rs上的直流压降造成两管直流分配比不衡、由Rs引起会造成激励不平衡，驱动变压器在变比上下－致下，因其一管因Rs反射为阻抗不平衡。带来上下驱动电压不同、开通程度有大小。另双反B需抗饱和、以适合占空比45的范围。MOs管需放电回路、在此电路中未见。