MOSFET与IGBT每部构造的区别?
因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中,td(off)与trv之和又称为存储时间。
二极管生产工序以及危害性
7、开关用二极管 有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为...
IGBT主要技术参数!
这种残余电流值(尾流)的降低,完全取决于关断时电荷的密度,而密度又与几种因素有关,如掺杂质的数量和拓扑,层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形,集电极电流引起以下问题:功耗升高;交叉导通问题,特别是在使用续流二极管的设备上,问题更加明显。 鉴于尾流与少子的重组有关,尾流的电流值应与芯片的温度...
IGBT管的参数
开通时间 (t_on):IGBT从关断到完全导通所需的时间。关断时间 (t_off):IGBT从导通到完全关断所需的时间。这些参数影响IGBT的开关频率和效率。总功耗 (P_tot):IGBT在规定条件下允许的最大功耗。对确保IGBT在应用中的可靠性至关重要。热阻 (R_th):结到环境的热阻 (R_thJA) 或 结到壳的热阻...
了解RET的开关特性
关闭RET所需的电压典型值与电阻比R1\/R2有关。当晶体管关闭时,可以通过R2或基极-发射极二极管两端的压降目标来计算此值。对于Nexperia的RET产品,关断状态的典型电压值在特定R2值时较低,且VI(off) max需为偶数值,以确保器件在特定区域运行。正确选择电阻分压器对于确保RET的控制电压范围与驱动级相匹配...
双极性tvs二极管导通电压是多少?
双极性TVS二极管,也就是双向TVS二极管,不同型号的TVS二极管,工作电压、击穿电压、钳位电压是不一样的。您这边提及的导通电压,不知道指的是什么意思?是击穿电压吗?TVS二极管SM8S30CA 以为双向TVS二极管SM8S30CA为例,参数详情如下:封装形式:DO-218AB 峰值脉冲功率:6600W 工作电压:30V 最小击穿...
功率半导体——功率二极管I
关断时间是正向电流衰减至反向峰值电流20%所需的时间。快速二极管,如快速恢复二极管和快速恢复外延二极管,具有短关断时间和低反向峰值电流,适用于高频电路。肖特基二极管作为单极器件,具有低反向恢复时间和工作频率,低正向压降,但其耐压较低,温度特性较差。功率二极管的主要性能参数包括额定正向平均电流、...
双极结型晶体管(BJT)VI
然而,与二极管类似,BJT在从“开”到“关”或反之的转换中,也存在时间延迟,这是由于少数载流子的积累或消耗效应导致的。作为理想的开关管,BJT需要满足一系列苛刻要求:导通时压降接近于零;截止时漏电流几乎为零;能承受较高的击穿电压,扩大工作范围;同时,切换时间要尽可能短。以共基极BJT为例,...
什么叫渡越时间?
对于双极型晶体管,少数载流子渡越中性基区的时间τB即称为基区渡越时间。其与基区宽度W直In=Aqnp(x)v(x),dx=v(x)dt,则得到τB=∫o[1\/v(x)]dx=∫o[Aqnp(x)\/In]dx≈QB\/IC。对均匀基区晶体管τB = W\/ ( 2 Dn );对缓变基区晶体管τB = W \/ (ηDn),η> 2。
功率器件的损坏机理(四)---动态雪崩
在电力电子器件的世界里,动态雪崩如同一场精密的舞蹈,尤其在双极性器件如二极管、GTO和IGBT的关断过程中,它悄然上演。当电压上升驱逐储存的载流子时,空穴电流在空间电荷区引发了电场的剧增,犹如雪崩般席卷而来。掺杂浓度的微妙调整直接影响着泊松方程中的电场梯度,从而限制雪崩电场的强度,这就是动态雪崩...