设在半径为R的球体内正电荷均匀分布,电荷密度为p,求带电球体内外的电场强度分布和电势分布

如题所述

由于正电荷均匀分布在球体上,所以电场强度有球对称性。
设r为球心到某一场点的直线距离。
根据高斯定理,ΦE=1/ε0∮q(∮q为高斯面内包含的所有电荷电量)
对于球体,ΦE=E∮ds=4πr^2E
所以1/ε0∮q=4πr^2E E=∮q/(ε04πr^2)
r≥R时,场点不在球体内,总电量∮q为带电体所包含的电荷总量
E=(4/3πR^3ρ)/(ε04πr^2)=(R^3ρ)/(3ε0r^2)
r<R时
E=(4/3πr^3ρ)/(ε04πr^2)=(rρ)/(3ε0)
电势等于E/r
具体的数值你自己在算一算,在电脑上直接打的,字符看着迷糊。。。。。
思路就是这样,用高斯定理,很简单。
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设在半径为R的球体内正电荷均匀分布,电荷密度为p,求带电球体内外的电场...
由于正电荷均匀分布在球体上,所以电场强度有球对称性。设r为球心到某一场点的直线距离。根据高斯定理,ΦE=1\/ε0∮q(∮q为高斯面内包含的所有电荷电量)对于球体,ΦE=E∮ds=4πr^2E 所以1\/ε0∮q=4πr^2E E=∮q\/(ε04πr^2)r≥R时,场点不在球体内,总电量∮q为带电体所...

设在半径为R的球体内电荷均匀分布,电荷体密度为p.求带点球内外的电场分...
当r>=R时,E2=pR3\/3εr2=q\/4πεr2

...其电荷均匀分布,电荷密度为p,求球体内外电场分布?
对于球内 ∑qi = p 4\/3 π r^3 得 E = p r \/ (3 ε0)对于球外 ∑qi = p 4\/3 π R^3 得 E = p R^3 \/ (3 ε0 r^2)

...r为球体上任一点距球心的距离。求带电球体内外的
解:设以半径r做高斯面整个球体带电总量用积分5261q(总)=∫p*4π*r^41022dr(积分限从16530到R)=πKR^4。当r>=R时,E=q(总)\/4π*ε0*r^2(此处ε0为真空介电常数)。由连续电荷分布引起的电场中的r不是固定值。实际计算的时候不能对dq直接积分,要进行换元,最后还是对dr。

设有一半径为R的球体,均匀带电,电荷为q,体电荷密度为p,求球体内部
球外一点B的电场:把带电球体看作点电荷计算 球内一点A的电场:只考虑黄色带电球体产生的电场即可

一半径为R的带电球体,其电荷体密度分布为 ρ=Ar(rR) A为一常量.试求球...
应该说明是均匀带电球体更好,以球心为原点建立球坐标系,设场点据原点的距离为r。对于球外的场点:即r>R,可直接根据高斯定理求解。ES=P\/ε,其中S=4πr^2 所以可得:E=P\/4πεr^2 假设电荷分布于一个三维空间的某区域或物体内部,则其体电荷密度是每单位体积的电荷量,单位为库仑\/米^3...

一半径为R,电荷量为Q的均匀带电球体,设无穷远处为电势零点。 试求...
设场点据原点的距离为r;对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解;ES=P\/ε ,其中S=4πr^2 。整理得:E=P\/4πεr^2;对于球内的点,即r。假设带电体的电荷体密度为ρ,计算电场强度,取球内球外两个高斯面S1S2,使用高斯定律。计算电势用电场强度对路径做积分。

半径R的球体内,其电荷对称分布,电荷密度:ρ=kr(0≤r≤R) ρ=0(r>R...
表面积是4πrr;该半径处电量为Q=4πrr*ρ;电场强度E=KQ\/rr。(K是为库伦定理里的常量,和k是有不同的);所以E=K4πrr*kr\/rr=4πKkr。

有一均匀带电球体,半径为R,带电量q。求球体内外的场强大小和方向是多...
无论是球体内还是外,电场强度都是球对称的,取高斯面为半径为r的球面。设r<R,此时高斯面包围的电荷为:3q\/4πR^3 * 4πr^3\/3=qr^3\/R^3E 4πr=qr^3\/R^3*真空介电常数 即可得到球体内的场强E=qr^2\/4πR^3 高斯定理,静电场的基本方程之一,它给出了电场强度在任意封闭曲面上的面积...

真空中电荷q均匀分布在半径为R的球体内,计算电场强度,电位,电场能量
直接用高斯定理算不就行了吗。先算电场强度,分为球内外,单独计算。任意同心球面电场通量E*S=-Q\/ε,其中S=4πr^2。再算电位,dU=EdL,积分到无穷远。然后 电场能量密度 公式:w=1\/2 εE^2, 电场能量 等于 电场能量密度 在全空间的积分,用到高等数学,选择球坐标系方便。

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