通用技术电路部分逻辑门有哪些知识点?

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今天开启第二章的学习，本章聚焦于TTL、COMS、三态门等门电路。涉及门电路的组成、工作原理、电压特性与关键参数，与模电紧密相连。门电路由二极管、三极管和场效应管组成，分析较为复杂。文章不提供深入分析，重点介绍各门电路功能与使用注意事项。对于分析层面的内容，建议参考其他视频资料。

此章节详细解析第一章中学习的与、或、非门的内部结构，阐述如何利用二极管、三极管设计出这些基本门电路。

接下来，我们将探讨半导体器件的开关特性，利用二极管和三极管构建的简单电路模拟开关功能。

首先，我们深入二极管的开关特性：

二极管静态开关特性：二极管正向导通，反向截止。硅管导通压降为0.7V，锗管为0.3V。当正向电压大于0.7V时，二极管导通，视为闭合开关；反之，视为断开开关。
二极管动态开关特性：在电路图中，当输入端ui为低电平时，VCC端电压为5V，二极管VD导通，输出端uo电压为二极管两端电压，即低电平0.7V。反之，输入高电平时，VD不会导通，uo电压等同于VCC，为高电平。

在理解二极管开关特性后，我们来分析其保护电路中电阻R的作用，确保电路安全。

值得注意的是，低电平和高电平的定义并非固定值，具体范围取决于电路设计。同时，当ui增加，输出端uo电压为0.7+ui，依然保持低电平状态。

接下来，我们将探讨三极管的开关特性。在模电中已学习三极管特性，这里主要通过电路图和输出特性曲线进行说明。

当BE两端加反向电压时，三极管截止，认为是开关断开状态；当UBE加正向电压且ui>0.7V时，三极管导通，进入输出特性的放大区。随着ui增大，iB和iC增大，但UCE减小，当UCE减小到0.7V时，三极管进入饱和状态，保持导通，输出端电压uo=UCE=0.3V，三极管集电极C和发射极E之间近似短路。

在数字电路中，三极管工作于饱和区或截止区，放大区为短暂状态。以上分析利用三极管的开关特性。

本章节学习内容至此，期待下一期的深入探讨。