如何选择合适的单片机晶振电容
(5)凯越翔建议:因为作业出色的振荡波形应当是一个美丽的正弦波,峰峰值应当大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%,可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之,若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变,则可恰当增加负载电容。 所以在选择晶振的最佳电容时,是可以参考的哦!!!专业仪器检测专晶...
51单片机晶振上接的电容大小该如何选择
5-33pf都可以,一般用的是15P和30P,晶振大小影响不大,常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P,单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率...
单片机晶振电路的电容是选择非电解电容合适、还是选择电解电容合适?
选择非电解电容,一般使用陶瓷电容,常见的单片机选择22pF即可。
如何根据单片机 选择晶振
晶振选择看单片机的能力和你的需要,电路看晶振。单片机通常都会有一个最高工作频率要求,比如:Atmega48v(低功耗)最高8MHz,Atmega48a最高16Mhz,选择晶振时不要超过这个频率即可。另外就是看你的需求,比方说,你需要用到串口通信,那用22.1184MHz或11.0592MHZ,容易实现较高的波特率(19600,19200)...
单片机的晶振起震电容是如何选取的呢?请大侠指点一下,万分感谢!!_百度...
常用的是晶体,需要配合两个瓷片电容,一般15pF~33pF,和单片机,电路正确,器件正常,上电就开始起振。但不会起震。晶振上电就可以独立输出信号,不需要其它器件配合。有些单片机内部也有振荡电路,上电就开始起振。
51单片机晶振上接的电容如何选择
CL=[Cd*Cg\/(Cd+Cg)]+Cic+△C Cd,Cg:分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,一般情况下 Cd == Cg,但 Cd != Cg 也是可以的,Cd、Cg称作匹配电容或外接电容,其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致,需要注意的是Cd、Cg串联后的总电容值(Cd*Cg\/(Cd+Cg))才是有效的负载电容...
stc单片机中22.1184M晶振匹配多大电容?
一般选择晶振的电容值要比引脚杂散电容高8~10倍,来减少杂散电容影响。 一般IC引脚杂散电容2~3pF,所以应该选择16~30PF的电容比较合适。晶振大小其实影响不大。我们一般选择27P电容。
51单片机晶振电路中能用104的瓷片电容么 这个值该怎么选择
不能用104的,一般是用22pf或者用30pf的也可以,至于为什么不能用其他的电容那是因为涉及到51单片机内部结构,看看下面的文章估计你会有收获http:\/\/blog.csdn.net\/lifengxun20121019\/article\/details\/8224999
51单片机配12MHZ的无源晶振,晶振电容应该选多大的,怎么得出这个电容参 ...
这个好像没有固定的计算方法,大多靠经验来选择,无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容,一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容,大些的电容虽有利于振荡的稳定,但会增加起振时间。一般常用的电容有12PF、15PF、22PF、33PF等,大致都是一个二十皮法量级。
单片机怎么选择晶振?所谓11.095和22.1184两种的误差最小是指什么?为什...
51芯片的串口工作模式0的波特率是固定的,为fosc\/12,以一个12M的晶振来计算,那么它的波特率可以达到1M。模式2的波特率是固定在fosc\/64或fosc\/32,具体用那一种就取决于PCON寄存器中的SMOD位,如SMOD为0,波特率为focs\/64,SMOD为1,波特率为focs\/32。模式1和模式3的波特率是可变的,取决于定时器...