如何选择合适的单片机晶振电容

如题所述

原理上讲直接将晶振接到单片机上,单片机就可以工作。但这样构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡器的稳定性. 为了电路的稳定性起见,建议在晶振的两引脚处接入两个瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶振必须配有起振电容,但电容的具体大小没有什么 普遍意义上的计算公式,不同芯片的要求不同。
(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
(2):在许可范围内,C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增比较常用的为15p-30p之间。
晶振的作用不同,材料不同,型号不同,源于每一种晶振都有各自它们各自的特性,所以最佳按制造厂商所供应的数值选择外部元器件。 当然晶振的电容也是按照不同的晶振类型所制造的,这是理所当然的。下面是晶振的电容选择方法,一定要仔细看哦:
晶振电容选择的几大标准
(1):在容许范围内,C1,C2值越低越好。
(2)C值偏大虽有利于振荡器的安稳,但将会增加起振时间。
(3):应使C2值大于C1值,这么可使上电时,加快晶振起振。
晶振的起振原因分析
在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中,就需要留心负载电容的选择。因为不一样厂家出产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和质量都存在较大差异。
选择晶振电容的注意事项
(1)在选用时,需要了解该类型振荡器的要害方针,例如等效电阻,(凯越翔厂家建议负载电容,如频率偏差等。
(2)但是在实习电路中,也能够通过示波器查询振荡波形来判别振荡器是不是作业在最佳情况。
|(3)当然在示波器查询振荡波形时,所查询的OSCO管脚(Oscillator output),应选择100MHz带宽以上的示波器探头,这种探头的输入阻抗高,容抗小,对振荡波形相对影响小。
(4)由于探头上通常存在10~20pF的电容,所以观测时,恰当减小在OSCO管脚的电容能够取得更靠近实习的振荡波形。
(5)凯越翔建议:因为作业出色的振荡波形应当是一个美丽的正弦波,峰峰值应当大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%,可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之,若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变,则可恰当增加负载电容。 所以在选择晶振的最佳电容时,是可以参考的哦!!!
专业仪器检测专晶振(更技术的选择)
因为用示波器查看OSCI(Oscillator input)管脚,如果简略致使振荡器停振(原因是:有些的探头阻抗小不能够直接检验)所以晶振的电容能够用串电容的方法来进行检验。
取中心值的小窍门(凯越翔独家揭秘)
如常用的4MHz石英晶体谐振器,通常凯越翔厂家建议的外接负载电容为10~30pF支配。若取中心值15pF,则C1,C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。凯越翔k字晶振考虑到还别的存在的电路板分布电容的影响。以及芯片管脚电容,晶体自身寄生电容等都会影响总电容值,故实习配备C1,C2时,可各取20~15pF支配。因此C1,C2运用瓷片电容为佳。
当然这只是一部分的电容选择要求和技巧,然而最佳的晶振选择要求和技巧,还是要根据不同的晶振型号,类型和不同的材料晶振而定,当然还是要看各自的客户的选择要求来定哦如果你对晶振的电容选择上还有什么疑虑的,不妨登入凯越翔官查询更加详细的资料哦。(本文来自凯越翔,k字晶振)
温馨提示:内容为网友见解,仅供参考
第1个回答  2016-12-27
一般单片机数据手测上会有参数要求。但是也可以看你使用的是什么单片机根据经验来判断。51单片机使用11.0592mhz 和12mhz多点。stm32使用8mhz多点。
第2个回答  2017-05-27
一般单片机的晶振电容的容量选择,官方的芯片资料里都会有些
第3个回答  2017-03-24
看你单片机吧。比如说51单片机你为了定时时间方便计算那就12M晶振,如果为了串口通信的话那还是11.0592M吧。我实际用12M会出现乱码。 STM32的话为了倍频方便,最好经典使用8M。 M级别的晶振,电容的话我一般经典使用22PF。 K级别,比如实时时钟晶振,32.768K我就用的6PF。
第4个回答  2016-12-01
为了电路的稳定性起见,建议在晶振的两引脚处接入两个瓷片电容接地来削减谐波对电路的稳定性的影响,所以晶振必须配有起振电容,但电容的具体大小没有什么普遍意义上的计算公式,不同芯片的要求不同
1、因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
2、在许可范围内,C1、C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间,比较常用的为15p-30p之间。最好按照所提供的数据来,如果没有,一般是30pf左右。太小了不容易起振。

如何选择合适的单片机晶振电容
(5)凯越翔建议:因为作业出色的振荡波形应当是一个美丽的正弦波,峰峰值应当大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%,可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之,若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变,则可恰当增加负载电容。 所以在选择晶振的最佳电容时,是可以参考的哦!!!专业仪器检测专晶...

51单片机晶振上接的电容大小该如何选择
5-33pf都可以,一般用的是15P和30P,晶振大小影响不大,常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P,单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率...

单片机晶振电路的电容是选择非电解电容合适、还是选择电解电容合适?
选择非电解电容,一般使用陶瓷电容,常见的单片机选择22pF即可。

如何根据单片机 选择晶振
晶振选择看单片机的能力和你的需要,电路看晶振。单片机通常都会有一个最高工作频率要求,比如:Atmega48v(低功耗)最高8MHz,Atmega48a最高16Mhz,选择晶振时不要超过这个频率即可。另外就是看你的需求,比方说,你需要用到串口通信,那用22.1184MHz或11.0592MHZ,容易实现较高的波特率(19600,19200)...

单片机的晶振起震电容是如何选取的呢?请大侠指点一下,万分感谢!!_百度...
常用的是晶体,需要配合两个瓷片电容,一般15pF~33pF,和单片机,电路正确,器件正常,上电就开始起振。但不会起震。晶振上电就可以独立输出信号,不需要其它器件配合。有些单片机内部也有振荡电路,上电就开始起振。

51单片机晶振上接的电容如何选择
CL=[Cd*Cg\/(Cd+Cg)]+Cic+△C Cd,Cg:分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,一般情况下 Cd == Cg,但 Cd != Cg 也是可以的,Cd、Cg称作匹配电容或外接电容,其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致,需要注意的是Cd、Cg串联后的总电容值(Cd*Cg\/(Cd+Cg))才是有效的负载电容...

stc单片机中22.1184M晶振匹配多大电容?
一般选择晶振的电容值要比引脚杂散电容高8~10倍,来减少杂散电容影响。 一般IC引脚杂散电容2~3pF,所以应该选择16~30PF的电容比较合适。晶振大小其实影响不大。我们一般选择27P电容。

51单片机晶振电路中能用104的瓷片电容么 这个值该怎么选择
不能用104的,一般是用22pf或者用30pf的也可以,至于为什么不能用其他的电容那是因为涉及到51单片机内部结构,看看下面的文章估计你会有收获http:\/\/blog.csdn.net\/lifengxun20121019\/article\/details\/8224999

51单片机配12MHZ的无源晶振,晶振电容应该选多大的,怎么得出这个电容参 ...
这个好像没有固定的计算方法,大多靠经验来选择,无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容,一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容,大些的电容虽有利于振荡的稳定,但会增加起振时间。一般常用的电容有12PF、15PF、22PF、33PF等,大致都是一个二十皮法量级。

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51芯片的串口工作模式0的波特率是固定的,为fosc\/12,以一个12M的晶振来计算,那么它的波特率可以达到1M。模式2的波特率是固定在fosc\/64或fosc\/32,具体用那一种就取决于PCON寄存器中的SMOD位,如SMOD为0,波特率为focs\/64,SMOD为1,波特率为focs\/32。模式1和模式3的波特率是可变的,取决于定时器...

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