温度升高,晶体管的输入特性曲线的间隔
增大。温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将上移，输出特性曲线将左移而且输出特性曲线之间的间隔将增大。
温度升高时,晶体管共射输入特性曲线为什么左移,输出特性曲线为什么
UBE随温度变化的规律与二极管正向导通电压一样，即：温度每升高1℃，UBE减小2～2.5mV。而IB基本不变，所以输入特性曲线随温度升高向左移。
温度升高晶体二极管共射输入特性曲线为什么右移
晶体管对温度影响敏感，温度升高的时候，输入特性是左移，温度降的时候是右移。
为什么温度升高时三极管的输入特性曲线会左移,而不是右移?
温度升高，半导体中会有更多的束缚电子摆脱共价键，成为载流子，半导体的导电性能增加（也可以理解为电阻变小了），相同的电流通过，压降自然就小（u=ir）。并且三极管（两个pn结，本质还是半导体），所以输入特性曲线左移（左移，在相同电流下，温度高的u小）。
温度升高晶体管输出特性曲线
温度升高，晶体管输出特性曲线上移；因为温度升高时，晶体管的输出电流将增大，所以晶体管输出特性曲线是“上移”；晶体管是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能；晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。
晶体管的输入特性曲线
1， 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线，这个时候，只需要加入0.7v的Ube就能导通了，相当于一个二极管的导通Uce=0.5 2，当Uce=0.5v，这个时候，电子进入基区后，要选择Vcc还是Vbb的正极去，当然此时，Vcc=0.5，Vbb=0.7。Vbb的吸引作用更强，但是Vcc仍然分流了一部分电子，内在表现...
温度升高晶体管输出特性曲线间隔
温度升高晶体管输出特性曲线间隔的影响如下：1、饱和电流增大：随着温度的升高，晶体管的饱和电流会增大，这是由于晶体管的内部电子和空穴浓度随着温度的升高而增加，从而导致饱和电流的增大。2、饱和电压下降：随着温度的升高，晶体管的饱和电压会下降，这是由于PN结的温度系数的变化，从而导致饱和电压的下降...
三极管的问题
1、输入特性 图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，...
第5章-常用电子元器件-5.8三极管的基本参数
（1）PDM指集电极电流通过集电结产生热量，使结温升高，集电极允许的最大功率。（2）PDM主要受限于管子的温升，硅管的温升限制约为150℃，锗管约为70~90℃。（3）确定PDM后，可在输出特性曲线上绘制PDM曲线，确定三极管的安全工作区域。总结：ICEO和ICBO是评估三极管性能的重要指标。ICM、BVCEO和PDM是...
温度升高,放大系数β变大还是变小?
一般情况下是变大。温度升高时，晶体管的特性曲线上移，造成△Ic不同。实际上对于大多数晶体管来说，温度升高，放大系数β变大的程度有限，但噪声增加的程度远大于β上升的程度。所以电路要采取措施，把温度的影响降下来。
