3D NAND的主要工艺流程

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3D NAND作为芯片制造工艺的高端技术，代表了全球顶尖制造商如三星、海力士、英特尔和长江存储的先进水平。接下来，我们来详细解析3D NAND的核心制造流程:

首先，从12英寸定向硅片上开始基底准备。




接着，通过交替沉积SiO2和SiNx薄膜，每层厚度约几十纳米，根据产品需求，层数可以达到64层、128层甚至400层。




无定形硅碳膜随后被沉积，作为刻蚀沟道的硬掩模。




通过硬掩模刻蚀，形成沟道通孔，具体步骤可见相关文章：《3D NAND沟道通孔制作详解》。




接下来进行台阶刻蚀，详细过程可参考：《3D NAND台阶蚀刻技术》。




再次沉积无定形硅硬掩模，随后开孔，进入关键步骤：slit etch。




通过一系列精密工艺，包括刻蚀SiNx、填充TiN和W（钨），形成word line fill工艺。




继续刻蚀多余材料，进行沟道通孔填充，涉及阻挡氧化层、Charge Trap SiN、Tunnel Oxide和Poly Si等多层沉积。




介质层沉积并进行接触孔蚀刻，金属导线-Bit line的制作紧随其后，标志着功能区主体结构的完成。




最终，整个3D NAND的制造流程以金属填充接触孔和导线制作为终结。

尽管文章中概述了简化版流程，实际生产中可能涉及数百步复杂步骤。如果你对半导体制造有更深入的探索需求，欢迎加入我的专业社区，获取更多详尽资料和知识分享。