（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
（2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增比较常用的为15p-30p之间。追答
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单片机开发板参考：吴鉴鹰单片机开发板（有详细的视频教程，板子功能全面，适合学习使用）
如何选择单片机晶振上面的电容
（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。（2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增比较常用的为15p-30p之间。
51单片机晶振上接的电容大小该如何选择
5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率...
51单片机晶振上接的电容如何选择
Cd，Cg：分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般情况下 Cd == Cg，但 Cd ！= Cg 也是可以的，Cd、Cg称作匹配电容或外接电容，其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致，需要注意的是Cd、Cg串联后的总电容值（Cd*Cg\/(Cd+Cg)）才是有效的负载电容部分，假设Cd==Cg==30pF，那么Cd...
单片机晶振电路的电容是选择非电解电容合适、还是选择电解电容合适?
选择非电解电容，一般使用陶瓷电容，常见的单片机选择22pF即可。
...晶振电容应该选多大的,怎么得出这个电容参数
这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。一般常用的电容有12PF、15PF、22PF、33PF等，大致都是一个二十皮法量级。
单片机的晶振起震电容是如何选取的呢?请大侠指点一下,万分感谢!!_百度...
常用的是晶体，需要配合两个瓷片电容，一般15pF~33pF，和单片机，电路正确，器件正常，上电就开始起振。但不会起震。晶振上电就可以独立输出信号，不需要其它器件配合。有些单片机内部也有振荡电路，上电就开始起振。
stc单片机中22.1184M晶振匹配多大电容?
一般选择晶振的电容值要比引脚杂散电容高8~10倍，来减少杂散电容影响。 一般IC引脚杂散电容2~3pF，所以应该选择16~30PF的电容比较合适。晶振大小其实影响不大。我们一般选择27P电容。
51单片机晶振电路中能用104的瓷片电容么 这个值该怎么选择
不能用104的，一般是用22pf或者用30pf的也可以，至于为什么不能用其他的电容那是因为涉及到51单片机内部结构，看看下面的文章估计你会有收获http:\/\/blog.csdn.net\/lifengxun20121019\/article\/details\/8224999
单片机的外部晶振电路是怎么回事,如何计算所选电容的
晶振起振后的频率准确与否,和选取的C1,C2是否与晶振规格要求的负载电容要求相吻合有直接关系,计算公式如下:CL=C1*C2\/(C1+C2)+5pF;算出的CL值要与晶振规格要求的负载电容尽量接近才能获得晶振的标称频率的振荡频率.一般电容的计算公式是：两边电容为Cg,Cd,负载电容为Cl cl=cg*cd\/(cg+cd)+a 就...
单片机的外部晶振电路是怎么回事,如何计算所选电容的
一般的晶振的负载电容为15pF或12.5pF，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22pF的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。如上图:晶振是给单片机提供工作信号脉冲的 这个脉冲就是单片机的工作速度 比如 12M晶振 单片机工作速度就是每秒12M 当然 单片机的工作频率是有范围的不能太大 一般24M就不...
