功率半导体IGBT/SiC详解；

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功率半导体主要分为分立器件和集成电路两大类别，扮演着电能转换与控制的核心角色，包括功率转换、放大、开关、保护和整流等功能。其中，IGBT和SiC作为重点器件，在全球半导体市场中占据重要地位。

据Omdia和Yole的预测，2021至2025年间，全球半导体功率器件市场将以8.4%的复合增长率增长，IGBT市场表现尤为抢眼，预计2025年市场规模将达到136亿美元，增长率高达12.8%。SiC器件则凭借其高性能，尤其在高压、高频等领域展现潜力，复合增长率高达42%。

在高耐压应用中，IGBT是主流，它融合了MOSFET和BJT的优点，广泛应用于逆变器、变频器等众多领域。尽管硅基器件性能受限，但SiC等宽禁带半导体因其优势，正在新能源汽车、5G通信等领域崭露头角，特别是新能源汽车市场对SiC IGBT的需求日益增长。

功率半导体器件的发展趋势是向着高密度、小型化、高效能和高可靠性。这不仅需要芯片技术的持续优化，封装技术的高可靠性同样至关重要，通过集成封装，如功率模块，提升产品的可用性与寿命。