51单片机时钟电路用12M晶振,电容怎么计算

如题所述

51单片机时钟电路用12M晶振,电容不是计算的,就是晶振需要配置的电容,通常取20P~33P都行。
其实,这个电容,都是从第一本单片机书那抄过来的,多少年了,就没变过。
但是,事实上,时钟电路所配的电容真是可有可无的,干脆不用了,时钟电路照常工作,这都是实际做出来的。比那些书本要有说服力吧,可就是没有一本这么写。更没有一本书介绍怎么计算出来的,因为,可有可无的东西还用计算吗?
现在,STC单片机,把外部晶振都省了,可以用内部 IRC时钟电路了,而且频率一样精确,你说还用计算吗,外部什么都不用啦,你还计算什么?不要什么东西都靠计算,这不是数学。
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第1个回答  2015-12-26
其实这两个电容没人能够解释清楚到底怎么选值,因为22pF实在是太小了。这个要说只能说和内部的振荡电路自身特性有关系,搭配使用,用来校正波形,没有人去深究它到底为什么就是这么大的值。
具体资料参考:吴鉴鹰吧 里面的晶振介绍
贡献文档:《吴鉴鹰单片机项目实战精讲》
参考实例:吴鉴鹰单片机开发板本回答被提问者采纳
第2个回答  2018-05-14
12M晶振常用20-30P瓷片电容即可。

51单片机时钟电路用12M晶振,电容怎么计算
51单片机时钟电路用12M晶振,电容不是计算的,就是晶振需要配置的电容,通常取20P~33P都行。其实,这个电容,都是从第一本单片机书那抄过来的,多少年了,就没变过。但是,事实上,时钟电路所配的电容真是可有可无的,干脆不用了,时钟电路照常工作,这都是实际做出来的。比那些书本要有说服力吧,...

51单片机采用12MHZ的晶振时一般用30PF的电容,这个30是怎么来的?
不是谐振电容,是耦合电容。根据通过的频率,大致的。

51单片机配12MHZ的无源晶振,晶振电容应该选多大的,怎么得出这个电容参 ...
这个好像没有固定的计算方法,大多靠经验来选择,无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容,一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容,大些的电容虽有利于振荡的稳定,但会增加起振时间。一般常用的电容有12PF、15PF、22PF、33PF等,大致都是一个二十皮法量级。

51单片机在12M晶振时,每秒可执行多少条指令?怎么计算?
T = 12 × 1\/12M × 4 = 4uS

51单片机晶振上接的电容如何选择
CL=[Cd*Cg\/(Cd+Cg)]+Cic+△C Cd,Cg:分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,一般情况下 Cd == Cg,但 Cd != Cg 也是可以的,Cd、Cg称作匹配电容或外接电容,其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致,需要注意的是Cd、Cg串联后的总电容值(Cd*Cg\/(Cd+Cg))才是有效的负载电容...

单片机作业求教 一个mcs51单片机系统使用12MHz的晶体作为振荡器,程序设 ...
该模式波特率计算公式:Baud=2^(SMOD)\/32×T1溢出率,其中,SMOD只是一个位,最大为1,T1溢出率就是 中断时间的倒数(1\/T1中断时间),而 T1定时器由硬件自动选择到8位自重装模式。而标准51单片机,12MHz晶振,机械周期为1us,定时器定时范围为 1~256us,代入公式得:当 SMOD=0时,Baud=1\/(...

MCS-51采用12MHz的晶振,定时1ms,如用定时器方式1时的初值(16进制数)应...
对于12MHz的时钟,51单片机的机器周期就为 1\/(12000000\/12)=1us 那么对于定时1ms,需要定时器计数的个数就为 1ms\/1us=1000 那么,对于方式1,需要装入的时间常数就为 2^16-1000=64536——0xfc18 建议随便参考一本51单片机的教材,都会有相关介绍。

单片机时钟计算
是1us,51单片机在12M的晶振下的工作频率是1M,周期当然是1\/(12M)了,

51单片机问题晶振问题
【计算公式】T(初值)=2^N - 定时时间\/机器周期时间 方式0下 N=13。方式1下 N=16。方式2、3 下N=8。 定时时间单位为us 机器周期时间=12\/晶振频率 T(初值):FEB5 H = 65205 定时时间=(2^16-65205)*12\/3.579 =331*12\/3.579 =3972\/3.579 =1109.8072087175188600167644593462us ...

51单片机晶振fosc=12MHz,T0工作在模式0,模式1和模式2,最大定时的时长...
12MHz时一个指令周期为1μs。模式0是13位计数器,因此最大定时时长2的13次方 = 8192μs。模式1是16位计数器,因此最大定时时长2的16次方 = 65536μs。模式2是可重载8位计数器,单次定时时长2的8次方 = 256μs。

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