任意点的电场强度：
dE = σ R dθ / (2π ε0 R) = σ dθ / (2π ε0 )
E = ∫dE . sinθ
= ∫ (0, π) σ / (2π ε0 ) . sinθ dθ
= σ / (π ε0 )
电场强度是放入电场中某点的电荷所受静电力F跟它的电荷量比值，定义式E=F/q ，适用于一切电场；其中F为电场对试探电荷的作用力，q为试探电荷的电荷量。单位N/C。
扩展资料
实验表明，在电场中某一点，试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力与其所带电荷的比值是一个与试探点电荷无关的量。于是以试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力的方向为电场方向，以前述比值为大小的矢量定义为该点的电场强度，常用E表示。
按照定义，电场中某一点的电场强度的方向可用试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力的电场方向来确定；电场强弱可由试探电荷所受的力与试探点电荷带电量的比值确定。试探点电荷应该满足两个条件；
（1）它的线度必须小到可以被看作点电荷，以便确定场中每点的性质；
（2）它的电量要足够小，使得由于它的置入不引起原有电场的重新分布或对有源电场的影响可忽略不计。电场强度的单位V/m伏特/米或N/C牛顿/库仑（这两个单位实际上相等）。常用的单位还有V/cm伏特/厘米。
根据对称性，可以变成一个半径为R的半圆，电荷线密度为σ*【πR】 ，求圆心的E.。
看错了，是半。。。
一半径为R的无限长均匀带电半圆柱面,电荷面密度为σ,求轴线上任意点的...
任意点的电场强度：dE = σ R dθ \/ (2π ε0 R) = σ dθ \/ (2π ε0 )E = ∫dE . sinθ = ∫ (0, π) σ \/ (2π ε0 ) . sinθ dθ = σ \/ (π ε0 )电场强度是放入电场中某点的电荷所受静电力F跟它的电荷量比值，定义式E=F\/q ，适用于一切电场；其中F为...
“无限长”均匀带电的半圆柱面,半径为R,设半圆柱面沿轴线单位长度上的电...
结果为：λ\/π²Rε 解题过程如下：
半径为R的无限长半圆柱面,电流I在柱面上均匀分布,求轴线上一点的磁感应...
望采纳
真空中有一半径为R的无限长空半圆柱面,均匀地带有面密度为60度的电荷...
此题利用高斯定理作解答，高斯面是圆柱体半径为r，当r小于R时，所包电荷为0，所以E=0.当r大于R时，E=R*Po\/r*e0,e0是真空中的介电常数。代入60即可。
一厚度为d的“无限大”均匀带电平板,电荷体密度为ρ.试求板内外场强分布...
如果是闭合的金属，空腔里的场强就是零。因为电场线从外表面开始，终止于带相反电荷的内表面，内部空间就没有电场了。用高斯定理 ∫ E·dS = q \/ ε 建坐标，平板中心处x=0 在内部做一个柱面，E ΔS + E ΔS = ρ*2*x*ΔS\/ ε，E = ρ*x \/ ε 在外部做一个柱面，E ΔS + E ...
半径为R的无限长均匀带电圆柱体,电荷线密度为+λ.求圆柱体内外的电势分...
解答如下：注意：从得到的结果可以看出，内部电势 U内 > 0；外部电势 U外 < 0。
无限长均匀带电直线对其外一点电场强度怎样求
高斯定理：做一个半径为r、高为h的圆柱面，柱面轴线与带电直线重合，柱面上的场强就是直线外与直线距离r的场强：E*2πrh=λh\/ε0-->E=λ\/2πε0*r，其中λ为带电直线的电荷线密度。在静电学中，表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。 高斯定律（...
如图所示,一个半径为R的无限长半圆柱面导体,沿长度方向的电流I在柱面...
1、解：该半圆柱面的截面为半圆，设其直径为x轴，垂直x轴为y轴。由对称分析知，y方向上B=0，取宽为dL的线微元，计算该无限长线微元在中心沿x方向的dB，然后积分得B,F=BI，注意大小和方向。2、如图：
厚度为d的无限大均匀带电平板,电荷体密度为p,求板内外的场强分布。
用高斯定理 ∫ E·dS = q \/ ε 建坐标，平板中心处x=0 在内部做一个柱面，E ΔS + E ΔS = ρ*2*x*ΔS\/ ε，E = ρ*x \/ ε 在外部做一个柱面，E ΔS + E ΔS = ρ*b*ΔS\/ ε，E = ρ*b \/ (2ε)
求电场强度的计算公式。
无限长带电直线的电场强度为E=λ\/2πε0r。高斯定理：做一个半径为r、高为h的圆柱面，柱面轴线与带电直线重合，柱面上的场强就是直线外与直线距离r的场强：E2πrh=λh\/ε0，可得E=λ\/2πε0r，其中λ为带电直线的电荷线密度。知识扩展：电场是指电荷在空间中产生的一种特殊的作用力，这种...
