设计AT89C51单片机（12M晶振）的复位电路时

Question

如图，设计AT89C51单片机（12M晶振）的复位电路时，高电平时间t=RC=2欧姆*1uF=2us，可以上电复位和按键复位。但是当t=1K欧姆*10uF=10ms时不能上电复位，是怎么回事？？在按键按两次后才可以按键复位，又是怎么回事？？然后经在Proteus下仿真得到t=680欧姆*10uF=6.8ms是最大值。请高手详解两个“怎么回事”，谢谢！

Answer 1

RC复位电路是以电容的充、放电来实现的，其RC的值为是时间常数。单片机的复位是高电平有效（2个机器周期以上），利用RC复位时，是通过电容的充电来实现的，而电容的充电完成需（3—5）RC，所以t大了其复位时间就比较长，要过一段时间才能看到复位效果。

追问

但是我在Proteus下仿真时当t设置成10ms后根本就看不到上电复位。请看图，t=10，Proteus启动后RST引脚既不是高电平又不是低电平，怎么回事？需要按键一次才是低电平，此后才可以按键复位。但是当t=6.8，Proteus启动后RST引脚是低电平，上电复位成功。求解

追答

Proteus仿真时复位电路一般都不接，我建议你搭接一个实物电路来试就明白了。

追问

我们要求必须接的，我想知道t是否有上限？

追答

51系列单片机的复位信号要求是两个机器周期以上的高电平，它没有规定过多少个机器周期以下，所以应该没有上限。

追问

好吧

Answer 2

复位电路中的R、C，芯片厂家，已经给出参考数值，并不用我们设计。

PROTEUS对复位电路的仿真，不符合实际情况，那就不用理它了，以后，或许会有更高的版本。

另外，楼主对高电平时间的计算，正确吗？
如：
高电平时间t=RC=2欧姆*1uF=2us
t=1K欧姆*10uF=10ms

那里来的这样的计算方法？

追问

资料上写的啊。。。

追答

能说说是什么“资料”吗？

追问

网上各种

追答

呵呵，网上可能有，但是我可是一个也没有见过。
坑爹的人，确实存在。
上电时刻，电源通过R对C充电，立刻，R上就有+5V的电压，单片机处于复位状态。
充电、充电...，充电电流越来越小，R上的电压就慢慢的往下降。
降到逻辑0，单片机才退出复位，进入到正常执行程序的工作状态。
从+5V，降到逻辑0，这个过程的时间，确实有计算公式，但是绝不是RC相乘。
建议，去看看电子专业的课本，别被网上的骗子忽悠瘸了。

追问

话说，我就是电子的

追答

呵呵，电子业余的吧！
电子的，竟然会找出来这种“资料”？

追问

怎么能这样说呢？厂家出来之前不也是设计的吗，为什么就不能设计呢？不过很有可能是因为仿真软件的问题

追答

在软件上找什么碴呀？
软件，才不会给你查资料呢。

你所说的：
高电平时间t=RC=2欧姆*1uF=2us
t=1K欧姆*10uF=10ms

这是明明计算“时间常数”的公式，怎么可能是“高电平时间”？
高电平时间，要比时间常数大的多。
还是回去看看电子专业的教材吧。

什么软件，能给出：你所写的公式？