开漏输出与推挽输出
在电路设计中,两种常见的输出模式是推挽输出和开漏输出。推挽输出由PMOS和NMOS晶体管组成,当输入电压Vin为高时,Q1导通,Q2截止,导致探针1接地,形成低电平;反之,Vin为高时,Q2导通,Q1截止,探针1接VCC,形成高电平。这种结构提供了完整的高低电平输出能力,适用于单线单向通信,如SPI或UART,功耗相对...
开漏输出与推挽输出
推挽输出(Push-Pull Output)通过两个互补控制的MOS或三极管实现,一个始终导通,另一个截止,确保输出高电平和低电平都有驱动能力。然而,它的缺点在于当两个输出并联使用时,如果一个输出高电平,另一个输出低电平,可能会导致短路,损害端口。因此,推挽输出并不适合实现"线与"功能。相比之下,开漏...
什么叫开漏输出
推挽输出,通过互补的MOS或三极管控制,可实现真正的高电平和低电平输出,具有较强的驱动能力,但当多个输出并联时,可能引发短路风险,不支持"线与"功能。图1的推挽结构清晰展示了这一点。相比之下,开漏输出(Open Drain Output)的高电平输出没有驱动能力,需要外部上拉电阻来实现信号传递。开漏输出的...
推挽输出和开漏输出的区别
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;开漏输出:输出端相当于三极管的集电极.要得到高电平状态需要上拉电阻才行.适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内) .开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFE...
电子技术(四十)——从IIC看推挽输出和开漏输出
电子技术探讨中,推挽输出和开漏输出在IIC通信中各具特色。首先,开漏输出(OD)的特点在于其高电平时无驱动能力,需外部上拉来实现高电平。如图1所示,其输出状态取决于输入,可能会出现输入与输出相反的情况。图2通过增加一个三极管实现了同相输出,而MOS版本的OD则相应地使用了MOS管。相比之下,推挽...
推挽输出和开漏输出
开漏输出模式的优点是可以实现线与(Wire-AND)功能,即多个开漏输出可以通过外部上拉电阻连接在一起,只有当所有输出都为低电平时,输出才为低电平。定义推挽输出和开漏输出两种模式的原因是为了满足不同的应用需求。推挽输出适用于需要较大驱动能力和较快开关速度的应用,如驱动LED、继电器等。而开漏输出...
充电桩漏电流传感器输出类型比较:推挽(PP)与开漏(OD)输出的区别与应用选...
对于需要高驱动能力、抗干扰能力强的充电桩系统,推挽输出的漏电流传感器是理想选择。开漏输出(Output Drain)在漏电流传感器中的应用 开漏输出结构仅包含一个晶体管,其输出端直接连接到电源或地,不提供内部上拉或下拉电阻。这种结构的优点是占用的电路空间较小,且能够实现更灵活的信号处理。在充电桩的...
推挽输出和开漏输出
推挽输出模式一般应用在输出电平为 0 和 3.3 伏而且需要高速切换开关状态的场合。 在 STM32 的应用中,除了必须用开漏模式的场合,我们都习惯使用推挽输出模式。开漏输出一般应用在 I2C、SMBUS 通讯等需要“线与”功能的总线电路中。除此之外,还用在电平不匹配的场合,如需要输出 5 伏的高电平,就...
开漏和推挽输出的区别
开漏和推挽输出的区别:一、推挽输出:推挽输出结构是由两个MOS或者三极管收到互补控制的信号控制,两个管子时钟一个在导通,一个在截止。当VIN为高电平、上面的MOS导通,下面的MOS截止,Vout被上拉到VDD当VIN为低电平、上面的MOS截止,下面的MOS导通,Vout被下拉到GND 优点:能输出高低电平、且高低电平...
一文看懂推挽、开漏、OC、OD的特点与应用
开漏输出的主要特点是高电平时输出高阻,没有驱动能力,这使得开漏输出在需要进行电平转换或实现"线与"功能时非常有用。与推挽输出不同,开漏输出的输出电平完全由上拉电阻连接的电源电平决定。开漏输出和开集输出(OC)在原理和特性上相似,但使用不同的器件:开漏使用MOS管,而开集使用三极管,其中的"集...