二极管的单向导电性的原理
一问：二级管有单向导电性,当PN结正偏时,由于外电场抵消了内场,所以耗尽层变薄,但这时二极管内导电是由于载流子的扩散起作用还是漂移起作用呢,还是二者都有（书上就是扩散作用，可本人认为是电子在电场作用下的漂移作用）?二问：当PN结反偏时，外电场与内电场叠加使耗尽层变宽，但此时耗尽层是有电场的，如果电子到达耗尽层边缘（P区）时就会被电场吸引，从而从P区通过耗尽层进入N区然后再进入外电路，这样不就有电流了吗？二极管不就没有单向导性了吗？ （这不就像N沟道结型场效应管一样吗，当出现预夹断后，不也出现耗尽层了吗，但还是有电流通过。它不也是当电子到达预夹断点后由于强电场作用而被拉向漏极吗？）
你好,我想问的是在PN结反偏时,为什么电子不能通过PN结,这与N沟道场效应管出现预夹断后电子能通过预夹断点有什么区别,同样都是出现耗尽层为什么在PN结反偏时(没有击穿)电子不能通过PN结形成电流,而N沟道场效应管出现预夹断后电子能在强电场的作用下通过耗尽层形成电流?
参考资料：模拟电路分析基础
二极管的单向导电特性
二极管是半导体器件，具有单向导电性，其原理基于PN结的特性。PN结由硅或锗材料组成，这些材料的最外层电子数为4，形成稳定状态时，每个原子与邻近原子共享电子，形成共价键。正常情况下，这些共价键稳定，但在温度或光线作用下，电子可能从共价键中逸出，成为自由电子或空穴。自由电子或空穴的移动形成电流。...
二极管为什么单向导电
PN结整流特性。二极管的单向导电性是由PN结的整流特性决定的。PN结的内建电场使得正向偏置时电流能流过，而反向偏置时电势垒增大，阻止电流流动。这是PN结中P区的正电荷空穴与N区的自由电子的扩散运动形成的电势垒。正向偏置削弱电势垒，反向偏置增强电势垒，从而实现二极管的单向导电特性。
二极管为什么具有单向导电性
如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过；如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。因此PN结具用单向导电性，所以二极管具...
如何理解二极管的单向导电性
二极管PN结正向导通，反向截止，即为单向导电性。1、正向：将P型区接电源正极，N型区接电源负极，则外电场削弱了内电场。扩散运动加强，漂移运动减弱，扩散大于漂移，形成正向电流IF。结电压很低，显示正向电阻很小，称为正向导通。2、反向：将P型区接电源负极，N型区接电源正极，则外电场加强了内电场。
二极管为什么具有单向导电性
电容的容量与两极的距离成反比，与两极的面积成正比。用途 二极管单向导电的特性用途其实十分广泛，在生活中，单向导通的例子也有许多，比如进入地铁口时的单向闸机，也相当于二极管的效果，正向导通，反向不导通，如果硬要反向通过，可能就会因为太大力“反向击穿”破坏闸机了。
为什么二极管是单向导电?原理是什么?
如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光...
PN结二极管的单向导电性原理
原理：当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。二极管的单向导电性是由PN结的特性说决定的。在P型和N型半导体的交界面附近，由于N区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由N区向电子浓度低的P区扩散，扩散的结果使PN结中靠P区一侧带负电...
二极管单向导电性原理是什么
二极管单向导电性原理指的是二极管只允许电流从p极流向n极，而不允许电流从n极流向p极。这是由二极管内部结构造成的，即p极和n极之间存在一个叫做基极-汇极电压差（built-inpotentialbarrier）的障碍，使得只有在p极电压高于n极电压的情况下，才能通过基极-汇极电压差并导通，从而使电流流过。
二极管为什么有单向导电性?
(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞＞漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F (2) 加反向电压（反偏）——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场...
二极管为什么具有单向导电性?
如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光...
