VASP vaspkit Origin 画能带图

Answer 1

若计算流程为：结构优化[公式] 静态自洽计算 [公式] 能带计算，所得结构将更为精确。

在本文中，计算流程简化为：结构优化[公式] 能带计算。此种方式可行，但精确度不及前种方式。

结构优化过程中生成的 CHGCAR 和 WAVECAR 文件对应于最后一步迭代的电荷密度和波函数，并非优化后的体系。优化后的体系可能与迭代末期的体系存在微小差异，导致电荷密度与波函数不完全匹配。因此，使用结构优化过程中生成的文件进行计算的精确度稍逊于使用静态自洽计算生成的文件。

本次能带计算选取的是[公式] 的二维纳米结构，为铁磁半导体。因[公式] 磁矩约为 4.8 [公式]，初始值设为 5 [公式]。

INCAR 文件可自定义编写，或使用 vaspkit 生成（生成的 INCAR 文件通常需要调整）。POSCAR 文件可直接从网站 materialsproject 导出，拖入计算目录并重命名为 POSCAR。

KPOINTS 文件由 vaspkit 生成，具体操作为[公式] 1 [公式] 102 [公式] 2 [公式] 0.04。vaspkit 生成的 POTCAR 文件无需额外生成。Monkhorst-Pack Scheme 和 Gamma Scheme 为两种撒点方式，当各维度的 K 点数为奇数时，两种方法的撒点相同且包含 K 空间的 Gamma 点；偶数时，MP 撒点不包含Gamma 点，Gamma 撒点为 MP 撒点的平移结果，确保包含 Gamma 点。

提交作业进行计算，需要四个文件（INCAR、POSCAR、KPOINTS、作业提交脚本）及四个参数的准备。

在离子步内完成结构弛豫更为精确。若难以一次离子步收敛，可将 CONTCAR 复制为 POSCAR 再次进行弛豫，直至离子步内收敛。

离子步收敛时，OSZICAR 显示 ISTART、ISPIN、MAGMOM、NPAR、SYMPREC、LORBIT、ENCUT、LCHARG、ISMEAR、SIGMA、NELM、NELMIN、EDIFF 参数。

结构优化时，EDIFFG 参数决定循环结束的收敛要求，正值表示两次离子步能量变化小于该值，负值表示离子受力小于绝对值，一般采用后者作为收敛依据。

能带计算时，ICHARG 参数选择如何产生电荷密度，ICHARG=11 适用于从旧的 CHGCAR 文件获取能带划分后的本征值和 DOS 自恰计算。

vaspkit 在[公式] 3 [公式] 302 步骤中，根据计算的结构选择相应选项。[公式] 总带隙为 [公式]。

使用 Origin 画能带，将 BAND.dat 文件导入 Origin，绘制折线图，设定 X、Y 轴并确定，调整 Y 轴标题为 E(eV)，设置线宽，注释 B、C 线，显示 K 点位置信息并调整 X 轴取值范围和刻度。

最终得到的能带图如下，如有错误，欢迎指正。