pn光电二极管存在的问题?pin的优势在什么地方

如题所述

pn结和pin结是两种最基本的器件结构,也是两种重要的二极管。从结构和导电机理上来说,它们有许多共同点,但是也存在不少的差异。

l 相同点:

(1)都存在空间电荷区和势垒区,则都有势垒电容;

(2)都具有单向导电性和相应的整流作用,则都可用作为二极管;

(3)在高的反向电压下,都有可能发生绝缘击穿的现象,因此都存在有最高工作电压的限制;

(4)都具有感光作用,可以作为光电二极管和光电池等光电子器件。

l 不同点:

(1)空间电荷区:

pn结的空间电荷区就是界面附近的区域,其中存在较强的内建电场,使得载流子往往被驱赶出去了,故一般可近似为耗尽层。

pin结的空间电荷区是在i型层(本征层)两边的界面附近处,则有两个空间电荷区(即p-i和n-i两个界面的空间电荷区),一个空间电荷区包含有正电荷,另一个空间电荷区包含有负电荷,这些空间电荷所产生的电场——内建电场的电力线就穿过i型层。

(2)势垒区:

pn结中阻挡载流子运动的区域,即存在内建电场的区域就是势垒区;pn结的势垒区也就是空间电荷区,即空间电荷区与势垒区是一致的。

但是pin结中存在内建电场的区域是整个i型层加上两边的空间电荷区,因此势垒区很宽(主要就是i型层的厚度),这时势垒区与空间电荷区并不完全一致(势垒厚度远大于空间电荷区)。

(3)势垒电容:

pn结的势垒电容也就是空间电荷区的电容,而空间电荷区的厚度与外加电压有关,则势垒电容是一种非线性电容;并且pn结的势垒电容也与两边半导体的掺杂浓度和温度有关(掺杂浓度越大,或者温度越高,势垒厚度就越小,则电容也就越大)。

但是pin结的势垒电容基本上就是i型层的电容,因此该势垒电容是一种线性电容;并且pin结的势垒电容与两边半导体的掺杂浓度和温度基本上没有什么关系。由于i型层较厚,则pin结的势垒电容很小,因此可用作为微波二极管。

(4)导电机理:

pn结的电流主要是注入到势垒区两边扩散区中少数载流子的扩散电流,这就意味着:通过pn结的电流是少数载流子扩散电流,并且少数载流子的扩散是在势垒区以外的扩散区中进行的。而势垒区的影响只是其中复合中心提供少量的复合-产生电流(只在低电压时起重要作用)。

但是pin结的电流主要是较宽的势垒区(~i型层)中的复合电流。因此在通过的电流的性质上,与一般pn结的大不相同。虽然它们的伏安特性基本上都是指数式上升的曲线关系,但是上升的速度却有一定的差别,pin结的正向伏安特性曲线上升得稍慢一点。

(5)工作电压:

pn结的势垒厚度一般较薄,并且电场在pn结界面处最大,则容易发生雪崩击穿,从而承受的反向电压有限。

但是pin结的势垒厚度很大(~i型层),并且电场在i型层中的分布基本上是均匀的,则不容易发生雪崩击穿,能够承受很大的反向电压,从而pin结二极管可用作为高电压大功率器件。

(6)感光(探测)灵敏度:

作为光电子器件(光电二极管、红外探测器、太阳电池等)使用时,感光(探测)灵敏度主要决定于势垒区的宽度。

pn结因为势垒厚度较薄,则感光灵敏度较小。

但是pin结由于它的势垒厚度很大(~i型层),则能够吸收大量的光子、并转换为载流子——光生载流子,所以感光和探测辐射的灵敏度很高。这个估计需要详细的说明才弄的了去硬之城看看吧或许有人会。
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