去耦电容和旁路电容的区别，终于有人说清楚了！

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去耦电容与旁路电容，是硬件电路设计中经常讨论的话题。虽然许多设计者对这两个术语不陌生，但对它们具体含义的理解可能并不深入。

旁路电容定义为“pass”路径，从电路的高频成分旁路掉的电容，相当于绕过高频干扰的“小路”。而去耦电容则是减弱耦合电容，即在电路中防止信号干扰传递的电容。

旁路电容和去耦电容之间的区别主要体现在其功能和使用位置上。旁路电容通常放置在电路输入端，用于过滤掉不必要的高频干扰信号。去耦电容则通常位于电路输出端，旨在防止系统内部产生的干扰传递给下一级系统。

具体来说，旁路电容的容值通常较小（通常在0.1uF以下），以便为高频信号提供低阻抗路径，使其更容易流入地线。相比之下，去耦电容的容值较大（至少0.1uF），主要用于滤除电源供应系统中的低频纹波干扰，从而确保稳定的电源供应。

在实际应用中，旁路电容和去耦电容常常同时使用，以达到最佳的滤波效果。它们共同作用于电路，确保高频噪声被旁路掉，而低频纹波被去耦掉，从而提高电路的整体性能和稳定性。

综上所述，旁路电容和去耦电容在电路设计中的作用是互补的，它们共同确保电路能够高效地处理信号，减少干扰。虽然有时在特定条件下，旁路电容和去耦电容的作用范围可以重叠，但在大多数情况下，它们在电路中扮演着不同但互补的角色。