N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压，漏源两极的电压VDS<VGS-开启电压，即VGD=

Question

N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压，漏源两极的电压VDS<VGS-开启电压，即VGD=VGS-VDS>开启电压，我不明白后面那两个式子是怎么得到的，我看的是模拟电子第三版，谁能给讲下

Answer 1

1、UGD=UGS-UDS，这是定义，没有什么好说的。
2、第三个式子是从第二个推导出来的。
3、整个公式其实是从实验获得，你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。
（1）首先设定UDS为0，然后慢慢增加UGS，等到UGS〉UGS（th），管子两端只要加微量电流，管子就可以导通，此时沟道形成了。
（2）当UGS为大于UGS（th）的某个特定值，然后增加UDS。当UDS<UGS-UGS（th）时， 管子就等效为一个可变电阻，电阻值的大小与UGS有关系，UGS越大，电阻越小。
（3）当UDS=UGS-UGS(th)时，就出现了预夹断，这也就是可变电阻区（饱和状态）与恒流区（放大状态）的分界线。
（4）当UDS>UGS-UGS（th），此时管子的电流就不会随着UDS变化而变化了，基本上维持恒定，只与UGS有关系，UGS越大，电流越大。
我不太喜欢用UGD表示，还是用UDS和UGS表示比较直观。
模电很多结论一方面是从半导体物理基础研究而来，也有很多是从实验结果获得的。

追问

可是栅极和漏极怎么联系在一起呢

追答

就是从夹断角度研究的，UDS逐步增大过程中，UGD逐步减小，靠近漏极的导电沟道开始变窄。从这里可以看出，UGD其实就代表着导电沟道的宽窄变化。
以上这些内容在分析结型管时写得清清楚楚，我用的是童诗白的《模拟电子技术基础》第四版，P41。其实结型管的分析方法与MOSFET非常相似，而且结构更简单一些，两者只是工作原理不同，但在分析工作状态时，手法相当接近。

追问

夹断知道，比较这两个电压能得岀什么？

追答

管子的状态啊，MOS管是电压控制器件（这个你应该知道，既然是电压控制器件，不比较电压难道还比较电流不成？），各极之间的电压关系可以反映管子的工作状态（饱和、截止、放大）。这跟三极管用电流表示工作状态不是一样的嘛。三极管的时候，你可以认为，Ic是放大。如果UGS<UGS(th)那就是截止了。
两者一个道理。

Answer 2

倒数第二个式子是假设的条件，都数第一个式子是根据上个式子倒出来的

追问

那么第二个式子是怎么通过前面的导岀来的呢，我不懂栅极和漏极怎么能联系在一起

追答

他们不是联系在一起，是栅极相对于漏极的电压为VGD！

追问

如果是相对电压那么怎么能用VGS-VDS得岀VGD呢

Answer 3

这个问题确实不会