在市电220V的情况下，BTb04可控硅控制电器的开关允许多大功率？

Answer 1

BTB04属于双向可控硅，额定正向平均电流为4A，这样在市电220V电压下，允许控制电器的最大功率为1KW，实际应用中，最好不要超出800W。

相同型号规格的可控硅并联，可以增大输出电流，但是由于元件的离散性，并联元件的正向特性并不完全一样，会造成电流分配的严重不均匀，应该采取相应的均流措施。

1、电源主回路是没问题的，因为多路输出中的其它路输出没问题。

2、只是这一路有问题，因为你说了负载没问题，把其它的负载接过来，问题同样存在。

3、从上面的情况看，有问题的这一路上的整流管有问题，一般情况下，整流管上都并一个吸收电容，空载时，未经整流的高频电压从电容上输出(但电流是很小的)，当有负载时，电压就降低了。  

Answer 2

产品类别：BTB04-600SL
产品类别：标准型4A 双向可控硅-TRIACs
封装外形：TO-220
管脚排列：T1-T2-G
说明：BTB04-600SL四象限双向可控硅专门为大涌流标准应用设计，如照明，有线电力工具和工业应用。
该器件门极电流灵敏度为：10MA
电流/IT(RMS)：≤4A
电压/VDRM：≥600V
触发电流/IGT： Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ IGT: ≤ 4mA
Ⅳ IGT: ≤ 4mA
触发电压/VGT： 0.62～0.8 V
门极散耗功率：0.1W
工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃)
器件品牌：ST
在交流调压电路中双向可控硅（晶闸管）的使用注意事项

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1 灵敏度 双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两极为阴阳极，而是称作T1和T2极，G为控制极，其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通，在图1所示的四种条件下双向可控硅均可被触发导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的最小门极电流IGT是有区别的，其中(a)触发灵敏度最高，(b)触发灵敏度最低，为了保证触发同时又要尽量限制门极电流，应选择(c)或(d)的触发方式。

2 可控硅过载的保护 可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件(1)外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用；(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5～2倍来取；(3)为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。

3 控制大电感负载时的干扰电网和自干扰的避免 可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象，其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时，其线圈中的电流通路被切断，其变化率极大，因此在电感上产生一个高电压，这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端，感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须电压为止，在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上，并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间，这种脉冲具有很高的幅度，很宽的频率，因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。

3.1 为防止或减小噪声，对于移相控制式交流调压一般的处理方法有电感电容滤波电路，阻容阻尼电路和双向二极管阻尼电路及其它电路。

3.1.1 电感电容滤波电路，如图2(a)所示，由电感电容构成谐振回路，其低通截止频率为f=1/2πIc，一般取数十千赫低频率。

3.1.2 双向二极管阻尼电路，如图2(b)所示。由于二极管是反向串联的，所示它对输入信号极性不敏感。当负载被电源激励时，抑制电路对负载无影响。当电感负载线圈中电流被切断时，则在抑制电路中有瞬态电流流过，因此就避免了感应电压通过开关接点放电，也就减小了噪声，但是要求二极管的反向电压应比可能出现的任何瞬态电压高。另一个是额定电流值要符合电路要求。

3.1.3 电阻电容阻尼电路，如图2(C)所示，利用电容电压不能突变的特性吸收可控硅换向时产生的尖峰状过电压，把它限制在允许范围内。串接电阻是在可控硅阻断时防止电容和电感振荡，起阻尼作用，阻容电路还具有加速可控硅导通的作用。