正向电压破坏了载流子扩散和漂移运动的平衡，增强了扩散电流。电子通过势垒区从n区扩散至p区，在x=-xp处形成电子积累。成为p区的少数非平衡载流子，该处电子浓度比p区体内多，从而向p区扩散，形成电子扩散电流；同理，在x=xn处积累的空穴是n区的非平衡载流子，同时向n区扩散，形成空穴扩散电流。
如果不考虑空间电荷区载流子的复合作用，-xp处的电子扩散电流加上xn处的空穴扩散电流就是通过pn结的总电流。
由此看出pn结电流与p区和n区的少子扩散电流有关，所以pn结晶体管为少子器件。
晶体管是非平衡少子,为什么还要放大作用?
放大状态时发射结正偏，集电结反偏，发射极促进多子运动，集电极促进的是少子的运动，集电极的这些少子来自发射极的多子，所以浓度远远大于集电极本身的多子，所以叫非平衡少子，由于集电结反偏，促进这些非平衡少子运动，产生了集电极的主要电流。由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和...
半导体材料问题,为什么晶体管要少子长寿命,开关器件少子要短寿命_百度...
P区空穴为多数载流子电子为少数载流子，N区电子为多数载流子空穴少数载流子，不能说晶体管就是少子器件。
晶体管参与导电时那种载流参与导电
晶体管参与导电时那种载流参与导电取决于晶体管的类型。金属氧化物半导体场效应管CMOS。参与导电的是“少子”。对于N型场效应管，导电的是“电子”。对于P型场效应管，导电的是“空穴”。不论是N还是P，导电时，通道内形成反型层，因此是少载流子导电。双极型晶体管BJT。双极，顾名思义是“电子”和...
双极型晶体管管中少子的作用
控制增益。当少子进入基极后，它们在基区发生再组合。在NPN型BJT中，空穴与基极区的电子再组合，而在PNP型BJT中，电子与基极区的空穴再组合，这种再组合过程导致基极电流的变化，并通过放大效应控制集电极电流的增益。
晶体管的输入特性曲线
1，三极管导通后，有一放大效应，集电极电流Ic=β*Ib，这个本质原因就是发射极参杂了大量的多子，也就是自由电子，在适当的外界电压条件下，造成的多子的自由扩散，形成的电流。2，二极管正向导通，反向截止，导通电压一般为硅管是0.7v左右，这个是怎么形成的，比较简单，施加正向电压后，多子在电压作用...
三级管的多子少子问题,高手来看看
电子是为负，空穴为正；如果晶体管处于放大作用的时候，对于PNP型，基-射极正偏，所以少子应为电子。而基-集极反偏，所以少子应该为空穴。因为少子为高浓度扩散，与电场力的方向相反。
晶体管与场效应管的区别
1. 场效应管（FET）是一种电压控制器件，其中栅极几乎不吸取电流。相反，晶体管（BJT）是一种电流控制器件，其基极需要吸取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况下，应选择场效应管。2. 场效应管具有多子导电特性。而晶体管的两种载流子——电子和空穴——都参与导电。由于少子的浓度对温度、...
晶体管定义和分类?
3. 场效应管利用多子导电，而晶体管既利用多子又利用少子（空穴）。由于少子的浓度容易受到温度、辐射等外界条件的影响，在环境变化剧烈的情况下，更适合使用场效应管。4. 功率放大电路是一种弱电系统，具有高灵敏度，容易受到外界和内部无规则信号的影响。在放大器输入端短路时，输出端可能仍有无规则的...
为什么场效应管电压放大器的放大倍数一般没有晶体管的电压放大倍数大...
简称少子晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制）。场效应管是电压控制器件，栅极，基本上不取电流，而晶体管的基极总要取一定的电流，所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管。而在允许取一定量电流时，选用晶体管进行放大，可以得到比场效应管高的电压放大倍数。
半导体器件物理学习-双极型晶体管(直流特性篇)
少子的分布对晶体管的电流特性至关重要，外加电压能调控少子浓度，进而影响电流。在基极电流中，这种浓度梯度的差异形成了显著的电流响应。共发射极连接是最常见的工作方式，而共基极电路则展现出高截止频率特性，两者之间的对比和特性分析也十分关键。实际应用与接法 在实际应用中，NPN管的三种常见接法各...
