双极型晶体管管中少子的作用
控制增益。当少子进入基极后，它们在基区发生再组合。在NPN型BJT中，空穴与基极区的电子再组合，而在PNP型BJT中，电子与基极区的空穴再组合，这种再组合过程导致基极电流的变化，并通过放大效应控制集电极电流的增益。
半导体器件物理学习-双极型晶体管(直流特性篇)
少子的分布对晶体管的电流特性至关重要，外加电压能调控少子浓度，进而影响电流。在基极电流中，这种浓度梯度的差异形成了显著的电流响应。共发射极连接是最常见的工作方式，而共基极电路则展现出高截止频率特性，两者之间的对比和特性分析也十分关键。实际应用与接法 在实际应用中，NPN管的三种常见接法各...
多数载流子和少数载流子的意义
多数载流子，少数载流子，它们都承担着传递电流的作用，载流子（电荷）的定向运动，产生了电流。具体来说，不同的半导体器件，有的是多数载流子其主要作用，有的又是少数载流子起重要作用。所以半导体器件，又分为多子器件和少子器件。你比如说，双极型器件，如BJT，PiN二极管，这些都是少数载流子器件。特点是...
双极型晶体管的影响
温度对的影响： 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少子的浓度明显增大， 增大。温度每升高10 时， 增加约一倍。硅管的 比锗管的小得多，硅管比锗管受温度的影响要小。温度对输入特性的影响：温度升高，正...
2.单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同?
单极型晶体管内部只有一种载流子（多数载流子）参与导电，而双极型晶体管中同时有两种载流子（多子和少子）参与导电。
半导体材料问题,为什么晶体管要少子长寿命,开关器件少子要短寿命_百度...
P区空穴为多数载流子电子为少数载流子，N区电子为多数载流子空穴少数载流子，不能说晶体管就是少子器件。
晶体管参与导电时那种载流参与导电
晶体管参与导电时那种载流参与导电取决于晶体管的类型。金属氧化物半导体场效应管CMOS。参与导电的是“少子”。对于N型场效应管，导电的是“电子”。对于P型场效应管，导电的是“空穴”。不论是N还是P，导电时，通道内形成反型层，因此是少载流子导电。双极型晶体管BJT。双极，顾名思义是“电子”和...
场效应管又称为单极性管,因为什么
集电区的少数载流子空穴在反压下向基区漂移，形成少子电流Icbo。所以在双极型晶体管中，两种载流子都要参与导电。而在单极型晶体管中，以结型场效应管为例，它是在外加栅源电压的情况下，用Vgs控制PN结厚度，然后，在电压Vds的作用下，N沟道中的多子做漂移运动，从而形成漏电流。在这个过程中，只有多子...
少子扩散长度
少子扩散长度：是指在半导体材料中，少数载流子在一定的温度和掺杂浓度条件下，由于扩散作用而能够传播的平均距离。
绝缘栅双极晶体管的IGBT的工作原理
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念...
