（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用 。
场效应管的场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称...
晶体管与场效应管的区别
1. 场效应管（FET）是一种电压控制器件，其中栅极几乎不吸取电流。相反，晶体管（BJT）是一种电流控制器件，其基极需要吸取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况下，应选择场效应管。2. 场效应管具有多子导电特性。而晶体管的两种载流子——电子和空穴——都参与导电。由于少子的浓度对温度、...
晶体管和场效应管有什么区别
场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。2.场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合...
场效应管跟晶体管有什么区别,应用时应该注意哪些
场效应管 VS 晶体管 ：1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。3．场效应管栅极几乎不取...
场效应管与晶体管相比,有哪些特点
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和...
为什么场效应管被称作场效应管
场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等优点，被广泛应用于放大电路的设计、数字逻辑电路和功率放大器等方面。在通信、音频和射频领域中，场效应管也扮演着重要的角色，有助于提高设备性能和提升信号质量。2. 场效应管与其他晶体管的比较 相对于双极型晶体管，场效应管具有许多独特的优势。首先，...
场管与晶体三极管有什么本质区别?
晶体三极管,是电流控制电流源 场效应管,是电压控制电流源 场效应管是通过Vgs来控制Id的电流,场效应管输入阻抗高 晶体管是通过Ib来控制Ic的电流,晶体管的放大倍数要比场效应管普遍要高 晶体管分NPN,PNP 场效应管,分N沟道增强型,P沟道增强型,N沟道耗尽型,P沟道耗尽型 ...
场效应管与三极管比较
场效应管与晶体三极管的比较 场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管. 晶体三极管与场效应管工作原理完全不同,但是各极可以近似对应以便于理解和设计: 晶体管: 基极 发射极 集电极 ...
SOM管,晶体管,场效应管的区别,用途!还有桥堆的概念,桥堆与二三极管的区...
SOM管、场效应管原理一样就是漏级电压不同，晶体管是指（NPN，PNP）的管子，SOM管、场效应管用在大电流高电压控制级电压较低电流较弱，晶体管用在放大信号（有低频和高频）之分。桥堆用在整流把交流变成直流（原理和4个二极管做成桥式）一样。
功率MOS场效应晶体管的与双极型功率晶体管对比
采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下：1. 驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小；功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件...
