单片机pwm驱动mos管的问题

我的想法是这样的单片机(stc12c5a60s2)输出的pwm驱动mos管,mos管需要持续3a的电流,瞬时10a,整个电路使用3.7锂电池,现在的问题是,负载电流比较大,3.7v不够mos完全导通压降对负载来说太大,求一个解决办法,电路尽量小,轻

MOS管内阻很小,普通的有 40mΩ 左右,导通电流支持20A;好的能到4mΩ左右,导通电流支持80A;
10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.1V~4V,标称3V;3.7V的锂电池,饱和是4.2V,选择3.3V工作的单片机,足够驱动了。
真正要考虑的是电池的负载能力,10A的瞬态输出,及3A的持续输出,电池负载能力不足的话,电压会瞬间跌落,很可能低于3V。解决方法:
①增大电源电路的退耦电容容量;
优点:在电池电压下跌的瞬间,释放大量电量维持电压,保持单片机正常工作;
缺点:治标不治本,电容电量来自电池,充电时会消耗大量电池电量,需要常充电的电池;
②采用负载输出能力强的电池;
优点:从根本上解决负载能力不足导致电压下跌的现象;
缺点:造价不便宜;追问

您是说,门极3.7v时,导通电阻就可以降到40m欧左右吗

追答

导通时,漏 源两极的电阻本来就很小,不是降下来的,而是 导通时就这么大

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单片机pwm驱动mos管的问题
10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.1V~4V,标称3V;3.7V的锂电池,饱和是4.2V,选择3.3V工作的单片机,足够驱动了。真正要考虑的是电池的负载能力,10A的瞬态输出,及3A的持续输出,电池负载能力不足的话,电压会瞬间跌落,很可能低于3V。解决方...

请教一下PWM驱动MOS管的问题。 STM单片机输出的PWM信号低电平是负电压...
PWM输出的是方波信号,只有高低电平 高电平为3.3V 低电平为0V MOS管一般都是高电平导通 而且所选择的MOS管导通电压Vgs 要小于3.3V才能被单片机输出的高电平导通

为什么pwm驱动不了mos
电压值不够让MOS充分导通。PWM信号高电平是电压值不够让MOS充分导通,工作在饱和区;需要用三极管当做开关,使得控制MOS的高电平电压值接近15V。

想用单片机输出的PWM直接驱动mosfet管,需要加光耦隔离吗
应该要的,一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高,因为S-D极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的。所以一般要采用电流比较大的驱动源,如三极管,MOS驱动器件

MOS管在单片机PWM的控制下,有杂音,“滋滋”声。
PWM频率调到可闻声波频率范围内了,有些元件会有随PWM抖动并发出声音你那个100%的时候相当于没变换波形了,要不一直高,要不一直低。也就没抖动了,就没声音了,把频率调到声波范围以外。一般会在电感上有声音。。。电感线圈没固定好原因。漆没浸好。。

下图是我用单片机输出PWM控制MOS开关管,调节输入电压的稳压电源电路,但 ...
电路有问题,看附图 控制端 低电平(0V) 有输出 17 V,控制端 高电平(17V) 有输出 0 V,

单片机PWM(3khz)驱动MOS管,MOS管发出吱吱的声音?是什么原因?
应该不是MOS管发出的声音,可能是电容发出的声音。

单片机产生PWM波,控制开关管??
单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V,而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受,那就是可以的,否则就需要增加MOS管驱动电路。鉴于你选择的电路结构,不宜使用NMOS或者IGBT,应使用PMOS及以下电路结构驱动PMOS...

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