常用二极管参数

如题所述

  二极管参数大全
  CT---势垒电容
  Cj---结(极间)电容, ;表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
  Cjv---偏压结电容
  Co---零偏压电容
  Cjo---零偏压结电容
  Cjo/Cjn---结电容变化
  Cs---管壳电容或封装电容
  Ct---总电容
  CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
  CTC---电容温度系数
  Cvn---标称电容
  IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
  IF(AV)---正向平均电流
  IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
  IH---恒定电流、维持电流。
  Ii--- ;发光二极管起辉电流
  IFRM---正向重复峰值电流
  IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)
  Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
  IF(ov)---正向过载电流
  IL---光电流或稳流二极管极限电流
  ID---暗电流
  IB2---单结晶体管中的基极调制电流
  IEM---发射极峰值电流
  IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
  IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
  ICM---最大输出平均电流
  IFMP---正向脉冲电流
  IP---峰点电流
  Ⅳ---谷点电流
  IGT---晶闸管控制极触发电流
  IGD---晶闸管控制极不触发电流
  IGFM---控制极正向峰值电流
  IR(AV)---反向平均电流
  IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
  IRM---反向峰值电流
  IRR---晶闸管反向重复平均电流
  IDR---晶闸管断态平均重复电流
  IRRM---反向重复峰值电流
  IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)
  Irp---反向恢复电流
  Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流
  Izk---稳压管膝点电流
  IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
  IZSM---稳压二极管浪涌电流
  IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
  iF---正向总瞬时电流
  iR---反向总瞬时电流
  ir---反向恢复电流
  Iop---工作电流
  Is---稳流二极管稳定电流
  f---频率
  n---电容变化指数;电容比
  Q---优值(品质因素)
  δvz---稳压管电压漂移
  di/dt---通态电流临界上升率
  dv/dt---通态电压临界上升率
  PB---承受脉冲烧毁功率
  PFT(AV)---正向导通平均耗散功率
  PFTM---正向峰值耗散功率
  PFT---正向导通总瞬时耗散功率
  Pd---耗散功率
  PG---门极平均功率
  PGM---门极峰值功率
  PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
  Pi---输入功率
  PK---最大开关功率
  PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
  PMP---最大漏过脉冲功率
  PMS---最大承受脉冲功率
  Po---输出功率
  PR---反向浪涌功率
  Ptot---总耗散功率
  Pomax---最大输出功率
  Psc---连续输出功率
  PSM---不重复浪涌功率
  PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率
  RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻
  RBB---双基极晶体管的基极间电阻
  RE---射频电阻
  RL---负载电阻
  Rs(rs)----串联电阻
  Rth----热阻
  R(th)ja----结到环境的热阻
  Rz(ru)---动态电阻
  R(th)jc---结到壳的热阻
  r ;δ---衰减电阻
  r(th)---瞬态电阻
  Ta---环境温度
  Tc---壳温
  td---延迟时间
  tf---下降时间
  tfr---正向恢复时间
  tg---电路换向关断时间
  tgt---门极控制极开通时间
  Tj---结温
  Tjm---最高结温
  ton---开通时间
  toff---关断时间
  tr---上升时间
  trr---反向恢复时间
  ts---存储时间
  tstg---温度补偿二极管的贮成温度
  a---温度系数
  λp---发光峰值波长
  △ ;λ---光谱半宽度
  η---单结晶体管分压比或效率
  VB---反向峰值击穿电压
  Vc---整流输入电压
  VB2B1---基极间电压
  VBE10---发射极与第一基极反向电压
  VEB---饱和压降
  VFM---最大正向压降(正向峰值电压)
  VF---正向压降(正向直流电压)
  △VF---正向压降差
  VDRM---断态重复峰值电压
  VGT---门极触发电压
  VGD---门极不触发电压
  VGFM---门极正向峰值电压
  VGRM---门极反向峰值电压
  VF(AV)---正向平均电压
  Vo---交流输入电压
  VOM---最大输出平均电压
  Vop---工作电压
  Vn---中心电压
  Vp---峰点电压
  VR---反向工作电压(反向直流电压)
  VRM---反向峰值电压(最高测试电压)
  V(BR)---击穿电压
  Vth---阀电压(门限电压、死区电压)
  VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)
  VRWM---反向工作峰值电压
  V v---谷点电压
  Vz---稳定电压
  △Vz---稳压范围电压增量
  Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压
  av---电压温度系数
  Vk---膝点电压(稳流二极管)
  VL ---极限电压
温馨提示:内容为网友见解,仅供参考
第1个回答  2013-10-21
常用二极管参数:
05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,
05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,
05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,
05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,
05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,

1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
1N4002 硅整流二极管 100V, 1A,
1N4003 硅整流二极管 200V, 1A,
1N4004 硅整流二极管 400V, 1A,
1N4005 硅整流二极管 600V, 1A,
1N4006 硅整流二极管 800V, 1A,
1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A,

1N4148 开关二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,

1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)
1N5392 硅整流二极管 100V,1.5A,
1N5393 硅整流二极管 200V,1.5A,
1N5394 硅整流二极管 300V,1.5A,
1N5395 硅整流二极管 400V,1.5A,
1N5396 硅整流二极管 500V,1.5A,
1N5397 硅整流二极管 600V,1.5A,
1N5398 硅整流二极管 800V,1.5A,
1N5399 硅整流二极管 1000V,1.5A,

1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)
1N5401 硅整流二极管 100V,3A,
1N5402 硅整流二极管 200V,3A,
1N5403 硅整流二极管 300V,3A,
1N5404 硅整流二极管 400V,3A,
1N5405 硅整流二极管 500V,3A,
1N5406 硅整流二极管 600V,3A,
1N5407 硅整流二极管 800V,3A,
1N5408 硅整流二极管 1000V,3A本回答被网友采纳
第2个回答  2019-04-06
05Z6.2Y硅稳压二极管V z=6 ~ 6.35V,P zm=500mW。

05Z7.5Y硅稳压二极管V z=7.34 ~7.70V,P zm=500mW。

05Z13X硅稳压二极管V z=12.4 ~13.1V,P zm=500mW。

05Z15Y硅稳压二极管V z=14.4 ~15.15V,P zm=500mW。

05Z18Y硅稳压二极管V z=17.55 ~18.45V,P zm=500mW。

1N4001硅整流二极管50V,1A。(I r=5uA,V f=1V,I fs=50A

1N4002硅整流二极管100V,1A。

1N4003硅整流二极管200V,1A。

1N4004硅整流二极管400V,1A。

1N4005硅整流二极管600V,1A。

1N4006硅整流二极管800V,1A。

1N4007硅整流二极管1000V,1A。

1N4148开关二极管75V,150 mA,I r=25nA,Vf=1V。

1N5391硅整流二极管50V,1.5A。(I r=10uA,Vf=1.4V,I fs=50A 1N5392硅整流二极管100V,1.5A,

1N5393硅整流二极管200V,1.5A。

1N5394硅整流二极管300V,1.5A。

1N5395硅整流二极管400V,1.5A。

1N5396硅整流二极管500V,1.5A。

1N5397硅整流二极管600V,1.5A。

1N5398硅整流二极管800V,1.5A。

1N5399硅整流二极管1000V,1.5A。

1N5400硅整流二极管50V,3A。(I r=5uA,V f=1V,f s=150A 1N5401硅整流二极管100V,3A。

1N5402硅整流二极管200V,3A。

1N5403硅整流二极管300V,3A。

1N5404硅整流二极管400V,3A。

1N5405硅整流二极管500V,3A。

1N5406硅整流二极管600V,3A。

1N5407硅整流二极管800V,3A。

1N5408硅整流二极管1000V,3A。

选用二极管时主要考虑哪些参数
不同类型的二极管有不同的特性参数。选用二极管必须了解以下几个主要参数:1、最大整流电流IF:二极管长期连续工作时,允许通过的最大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热...

常用整流二极管型号有哪些?
常用整流二极管型号:1、1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A),2、1S1553 硅开关二极管 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,3、2AN1 二极管 5A, f=100KHz,4、2CK100 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,5、2CN1A 硅二极管 400V, 1A, f=100KHz,6、...

二极管参数
1、参数:CT---势垒电容、Cj---结()电容;表示在二极管两端加规定偏压下检波二极管电容、Cjv---偏压结电容、Co---零偏压。2、电容用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。伏安特性:二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线,二极管的...

常用二极管参数
常用二极管参数包括:额定电压、最大电流、最大反向电压、正向电阻、反向电阻、最大耗散功率等。这些参数是评估二极管性能的关键指标。二、详细解释 1. 额定电压:也称为正向工作电压,指的是二极管正常工作的电压范围。它反映了二极管内部PN结的正向特性,也决定了电路中使用该二极管时所需要的电源电压。2....

二极管有哪些主要的参数?
二极管的主要参数包括:1. 最大整流电流(IF):这个参数表示二极管在长期连续工作中能承受的最大正向平均电流,它受到PN结面积和外部散热条件的影响。过高的电流会导致二极管发热,超过允许温度(硅管141℃,锗管90℃)会损坏二极管。因此,使用时应确保不超过其额定值。例如,IN4007整流二极管的额定正向工作...

二极管有哪些主要参数?常用型号有哪些?
2. 额定整流电流(IF):这是二极管在长时间运行时能承受的最大平均电流值,通常根据允许的温升来确定。目前市面上大功率整流二极管的IF值可达1000A。3. 最大平均整流电流(IO):在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时需要特别关注的参数。4. 最大浪涌电流(IFSM):...

二极管型号参数
二极管型号参数内容如下:1、PN硅二极管:VF(正向电压)0.7V,VR(反向电压)50V-200V,IF(正向电流)10mA-100mA,IR(反向电流)0.1uA-1uA。2、NPN硅晶体管:VBE(基极-发射极电压)0.7V-1.2V,VCE(源极-收集极电压)30V-60V,IC(收集电流)0.1mA-100mA,hFE(电流增益)50-300等...

二极管主要参数
二极管的性能和适用范围主要由一系列技术参数来衡量,这些参数对于初学者理解二极管至关重要。以下是几个主要的参数:1. 最大整流电流 (IF): 当二极管在长期连续工作状态下,允许的最大正向平均电流。这个值受PN结面积和外部散热条件影响。电流过大可能会导致管芯过热,超过硅管(约141℃)或锗管(约90...

二极管的主要参数有哪些?
二极管的主要参数有:正向电压降VF、反向击穿电压VR、反向电流IR和电流容量IF。正向电压降VF指的是二极管在正向导通时的电压降,也就是二极管的正向电压。这个参数对于电路设计和电路分析非常重要,因为它决定了二极管在电路中是否能够正常工作。反向击穿电压VR是指二极管在反向电压作用下的击穿电压值。这个参数...

二极管参数大全
二极管是一种电子元件,广泛应用于各种电路中。在选择和使用二极管时,了解其参数是非常重要的。以下是二极管的主要参数:1. 额定电压与电流 额定电压:二极管正向导通时的参考电压。不同类型的二极管具有不同的额定电压,如硅二极管和锗二极管的额定电压有所不同。额定电流:二极管允许通过的最大电流值。

相似回答