参考资料：高等教育出版社《电子技术》
硅二极管与锗二极管的区别哪位能说说
首先，锗二极管具有较低的工作温度。由于锗材料的特性，锗二极管适用于较低的环境温度。其次，锗二极管的漏电流较大。这意味着在正向偏置时，锗二极管具有较高的电位差，并且漏电流较大。此外，锗二极管的开关速度较快。由于锗材料的特性，锗二极管可以快速地进行开启和关闭的过程。3、硅二极管与锗二极管的...
硅二极管与锗二极管区别!
硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同 3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏...
硅管和锗管的区别
硅二极管与锗二极管的区别主要如下:在电流相同时,锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。根据实验研究，锗二极管正向在...
硅二极管和锗二极管有什么异同?
首先，硅二极管的反向电流远低于锗二极管。在相同温度下，硅的杂质浓度比锗高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下，硅中的少数载流子浓度远低于锗，导致硅二极管的反向饱和电流（Is）非常小。其次，对于二极管的正向电流，只有当电压达到特定的门限电压（Ur）时，电流才会有明显的增长。这个门限电压也被称为...
为什么二极管的导通压降(硅)约为0.7v,(锗)约为0.2v,原理是
硅二极管的导通压降约为0.7V，而锗二极管的导通压降约为0.2V，这与硅和锗的半导体材料属性紧密相关。正向电压作用下，二极管处于正向偏置状态，半导体内部的空穴和电子被压向靠近，这一过程称为注入。空穴和电子相遇后复合，形成电子-空穴对，导致能量损失，即产生压降。正向电压越大，压降越大。二极管的...
锗二极管区别
硅管的交流电阻较小。这意味着硅二极管在处理交流信号时，其性能更为稳定和高效。在实际应用中，例如在小电流情况下，硅二极管的正向电压降通常在0.6到0.8V之间，而锗二极管则在0.2到0.3V。然而，对于大功率的硅二极管，正向压降可能会增加到1V，这在选择二极管时需要考虑功率需求和电压降的限制。
硅二极管与锗二极管的性质有什么不同?
硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异：1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。2） 在正向电压很小时，...
如何区分二极管
要区分二极管，首先可以根据万能表的读数来判断。硅二极管与锗二极管在万能表上显示的正向电压有所不同，硅二极管约为0.6-0.7V，而锗二极管约为0.2-0.3V。通过对比这两个数值，可以直接判断出是硅二极管还是锗二极管。对于稳压管的区分，同样利用万能表配合摇表进行测量。当摇表输出电压低于稳压管实际...
稳压二极管按材料可分为硅管和锗管吗?
是的，稳压二极管按照半导体材料可以分为硅管和锗管。他们在各自的特性和应用中存在一些差异：1. 硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。2. 锗管：锗二极管的导通...
比较硅二极管与锗二极管的死区电压、正向管压降、反向电流及反向电阻...
正向管压降硅二极管一般为0.7V，而锗二极管一般为0.3V。反向电流硅二极管一般为几微安到几毫安，而锗二极管一般为几毫安到几十毫安。反向电阻硅二极管一般为几十兆欧姆，而锗二极管一般为几百兆欧姆。因此，在这些参数方面，硅二极管通常比锗二极管具有更大的死区电压、更大的正向管压降、更小的反向电流...
