（2）导通电压：锗管压降0.1~0.3伏，硅管0.6~0.8伏，一般Ge取0.3，Si取0.7。
为什么电压差0.3或0.7的是基极或者发射极?
（1）三极管放大电路中，发射结是正向导通状态，而导通电压与半导体原料有关。（2）导通电压：锗管压降0.1~0.3伏，硅管0.6~0.8伏，一般Ge取0.3，Si取0.7。
为什么发射区和基区电压要相差0.3
发射极电压高。基极电压的大小位于发射极与集电极之间，正常静态工作情况下，基极与发射极之间的电位相差0.3v，是因为PNP型管的发射极电压比基极高，其中会有个差值的压降。
判断晶体管的类型
1. 判断三极管类型首先观察两个极之间的电压差异。2. 若两个极之间的电压差为0.7伏或0.3伏，这两个极通常是连接发射结的。3. 剩下的两个极则是集电极和基极。4. 在三极管中，基极的电位位于发射极和集电极之间。5. 根据电位关系，若集电极电压最高，基极电压次之，发射极电压最低，则为PNP型...
怎样从图上判断三极管是pnp型还是npn型?确定c b e 端
我也是学这个过来的，教你个快捷的方法（对于三极管导通放大时）：先找电压差为0.7（硅）或0.3（锗）的两个输入端，那么剩下的那一个肯定是集电极，集电极电压比另两个都大时，那么那两个极中较大的为基极，若集电极电压最小，那么那两个极中较小的为基极。可以解释这一方法的理由：基极电压比...
测量某电路测得放大电路三极管各级电位分别为 ?V ?V ?V ,则可以分辨出...
这个简单，基极电压和发射极电压之间电位差是0.7v左右的是硅管，0.3v为锗管 NPN管子，集电极电压 > 基极电压 > 发射极电压 PNP管子，集电极电压 < 基极电压 < 发射极电压 综上所述，处于中间值的就是基极，而与它符合0.7v或0.3v电位差的那个极就是发射极，剩下那个就是集电极 你举出的例子，...
做题时怎样区分发射极基极集电极
箭头向内事PNP。箭头向外，箭头所指方向是发射极 箭头向内，带有箭头那端是发射极 中间端是基极，剩下那一端就是集电极 二是从电压来区分。基-发要是0.7V，那就是NPN;基-发要是-0.7V，那就是PNP。（硅管是0.7，锗管是0.3V。）算压差也可以得出这个值。剩下那一端就是集电极了。
怎么通过三个已知电压判断pnp和npn
1、NPN的电压关系：C>B>E 2、PNP的电压关系:C<B<E 3、当B和E的电压差为0.7V时，为硅管；电压差为0.2V时，为锗管。以上的判断依据是三极管处于放大状态的前提下，三极管处于截止和饱和状态的时候，要根据具体情况来判断。实际上，一般题目都是判断放大状态下的三极管。
三极管的导通与否是看基极与发射极的电压差是否超过起始电压还是基极与...
看三极管基极与发射极之间的电压: 锗管是0.3V；硅管是0.7V.三极管导通。对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位。对于PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位。三极管组成的放大电路，其构成放大的外部条件和内部条件是：一个基本放大电路必须有 输入信号源、晶体三极管、输出负载以及直流电源和...
...之间的压降只有0.3V,那发射极的电压不是比基极的电压高了吗?_百度...
题主钻进年角里了。Vce=0.3V Vbe=0.7(或更高），Ve怎么会比Vb高？饱和是Vc电压降低，不是Ve升高。即便是在射极输出的电路中。只有Vb>Ve+0.7V才可能维持管子导通。所以你的电路中，Q6射极能达到的峰值电压是15-0.7V （不考虑运放对电压的损耗）...
...启动电压必须大于等于0.7伏。可是很多时候。加载在基极
三极管处于放大状态和饱和状态时，发射极的PN结必须处于正向偏置状态。发射结正向偏置电压一般硅管取0.7V，锗管取0.3V，实际大于和偏置电流有关，小信号时可能是0.6(0.2)V，这可以从三极管的输入特性中看出来。如果三极管工作在导通和截止状态，其发射结夫君电压更是低于0.6V，那是因为基极偏置工作在...
