0压降电路实现：MOS管主副电源自动切换

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实现主副电源自动切换的电路设计，主要有两种方式。一种利用了三个MOS管，而另一种则是通过合理配置三个MOS管，实现了0压降的电路设计。

首先，我们来分析第一个设计，其关键部件包括VUSB、VBAT、Q1（PMOS）、D1（二极管）。在外部电源供电时，锂电池的供电会被切断，而当外部供电中断后，锂电池则会开始供电。具体实现方式是，当VUSB提供5V时，PMOS不导通，电压经二极管D1直接流向VCC。而当VUSB断开后，PMOS的G端电压通过电阻R1下拉至GND，此时PMOS导通，VCC由VBAT供电。

然后，我们来看第二个设计，它利用了MOS管的低导通RDS（on）特性，更高效地实现了主副电源自动切换。此设计使用了三个MOS管，当VIN1（主电源）为3.3V时，Q1的NMOS导通，接着拉低了Q3 PMOS的栅极，使得Q3开始导通。此时Q2 MOS的G-S之间的电压等于Q3 PMOS的导通压降，大约为几十mV。因此Q2 MOS管关闭，VIN2（外部电源）断开，VOUT由VIN1供电，VOUT保持在3.3V。在VIN1断开后，Q1 NMOS截止，Q2 PMOS的栅极通过R1下拉，Q2导通；Q3 PMOS的栅极通过R2上拉，Q3截止。此时VOUT由VIN2供电，也保持在3.3V。在VIN2供电时，电路静态功耗几乎为零，存在压降的情况则只在电流很大时。

从以上分析可以看出，第二种设计在主电源下降过程中，其电路设计避免了主电源的降低，使得外部电源供电成为更佳选择。然而，在实际应用中，电路中的三个MOS管需要具备低导通电阻与低压的特性。此外，有部分网友指出，在主电源下降过程中，Q3未完全关断而Q2就开始导通，可能会形成通路，阻止主电源的降低，这需要在具体应用中进行验证。