场效应管测量方法

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场效应管的测量方法主要依赖于其电阻特性。使用万用表可以有效地鉴别场效应管的电极。首先，将万用表调至R×1k档位，然后选取两个电极进行测试。测量正向和反向电阻值。如果两个电极的电阻值相等，并且在几千欧姆的范围内，那么这两个电极很可能是漏极D和源极S。由于漏极和源极可以互换，剩下的电极即为栅极G。
另一种鉴别方法是，用黑表笔接触一个电极，然后依次接触其余两个电极。如果两次测量的电阻值接近，那么首次接触的电极是栅极，其余两个则是漏极和源极。
通过比较正反向电阻值的大小，可以判断场效应管是N沟道还是P沟道类型。在电阻法测量好坏时，需要将源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极，以及两个栅极之间的电阻值与手册中的标准值进行比较。如果电阻值异常，可能是由于内部接触不良或断极所致。
放大能力的测试可以通过感应信号法进行。将1.5V电压加在漏极和源极之间，然后手捏栅极以观察电阻值的变化。如果摆动幅度大，则表明放大能力强；反之，则可能表明放大能力弱或器件损坏。
对于MOS场效应管，操作时需要特别小心，以防止人体感应电荷直接加到栅极上。对于无标示的管子，可以通过测量电阻值和估测放大能力来确定漏极D和源极S的位置。然后，根据电阻值的变化和跨导的大小，可以判断VMOSV沟道增强型场效应管的性能。
场效应晶体管（FET）由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它是一种电压控制型半导体器件，具有高输入电阻（10^8～10^9Ω）、低噪声、低功耗、大动态范围、易于集成、没有二次击穿现象、宽安全工作区域等优点，因此已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。