igbt和mos管的区别有哪些 igbt和mos管能互换吗

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igbt和mos管的区别有哪些

igbt，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和mos管组成的复合型半导体器件。mos管即mosfet，又叫绝缘栅场效应管，是场效应管的一种类型，可分为n沟耗尽型、增强型、p沟耗尽型和增强型四大类。

在结构上，mosfet和igbt看起来相似，但实则不同。igbt由发射极、集电极和栅极端子组成，而mosfet由源极、漏极和栅极端子组成。igbt的结构中有pn结，而mosfet没有任何pn结。

在低电流区域，mosfet的导通电压低于igbt；在大电流区域，igbt的正向电压特性优于mosfet。igbt的高温特性更好，导通电压比mosfet低。

igbt适用于中到极高电流的传导和控制，而mosfet适用于低到中等电流的传导和控制。igbt不适合高频应用，它能在千赫兹频率下运行良好。mosfet特别适合非常高频的应用，可以在兆赫兹频率下运行良好。

igbt的开关速度较低，mosfet开关速度非常高。igbt可以承受非常高的电压以及大功率，而mosfet仅适用于低至中压应用。igbt具有较大的关断时间，mosfet的关断时间较小。

igbt可以处理任何瞬态电压和电流，但当发生瞬态电压时，mosfet的运行会受到干扰。mosfet器件成本低，价格便宜，而igbt至今仍属于较高成本器件。igbt适合高功率交流应用，mosfet适合低功率直流应用。

igbt和mos管哪个好

igbt和mos管相比，各有各的优势和缺点，并不好说哪种更好，主要是根据实际应用场合来选择。igbt的主要优势是能够处理和传导中至超高电压和大电流，拥有非常高的栅极绝缘特性，且在电流传导过程中产生非常低的正向压降。与mosfet相比，igbt开关速度较慢，关断时间较长，不适合高频应用，比较适合高压大电流应用。

mosfet的优点决定了它非常适合高频且开关速度要求高的应用。在开关电源(smps)中，mosfet的寄生参数至关重要，它决定了转换时间、导通电阻、振铃(开关时超调)和背栅击穿等性能，这些都与smps的效率密切相关。对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容(利于快速切换)以及较高驱动能力的mosfet。

igbt和mos管能互换吗

不能。igbt和mosfet工作特性不一样，一般不能互换，在考虑具体技术细节的情况下，可以用igbt替代mosfet，需要考虑的问题点有：电路的工作频率，igbt工作频率低，一般25khz是上限。如果电路工作频率超过igbt频率上限(以具体管子数据手册为准)，不能替换。驱动电路的关断方式，mosfet可以用零压关断，也可以用负压关断。igbt只能用负压关断。如果电路驱动电路，只是零压关断，一般不能替代。功率管并联，mosfet是正温度特性，可以直接并联扩流，而igbt是负温度特性，不能直接并联。如果电路是多个mosfet并联使用，不能用igbt简单替换。电路是否需要开关器件续流二极管，mosfet自带寄生二极管，igbt则是另外加进去的。保险起见，只选择带续流二极管的igbt。igbt输入电容要和原电路mosfet的输入电容接近。这只是考虑驱动电路的驱动能力，与mosfet和igbt特性无关。过流保护电路，igbt要求更高。如果没有电路图的话，可以通过短路试验来确定能否替换。对于常见的简单电路，考虑上述几个因素，就可以用符合功率耐压要求igbt替代mosfet。