可控硅怎么测量好坏

Answer 1

可控硅测量好坏可以通过可控硅控制极（G）与阴极（K或A2）的性能来判断。

根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。控制极（G）与阴极（K或A2）实际是二极管特性，因此有单向导通性能。将万用表-黑表笔（实际是内部电池的“+”极）搭接在控制极上。

+红表笔搭接在阴极上，万用表指针向右偏移（“0”的方向）较小位置。一般在几欧~十几欧。调换黑、红表笔，再次测量控制极与阴极，万用表指针因在左边的“∝”不动（微动）或向右偏移较少（一般在几千欧~几十千欧）如检测结果与上不符，说明控制极（G）与阴极（K或A2）间已损坏。

可控硅的工作原理

可控硅（SCR）是一种半导体器件，其主要作用是将交流电转换为直流电。它的工作原理基于PN结的正向和反向偏置以及载流子的注入和复合过程。在正向偏置下，PN结被加上正电压，使得P区和N区的电场逐渐增大，直到达到击穿电场。当电场强度足够大时，电子和空穴被加速并向PN结中心区域运动。

在这个过程中，电子和空穴会与半导体中的原子、离子等发生碰撞，从而释放出能量。在反向偏置下，PN结被加上负电压，使得P区和N区的电场逐渐减小。当电场强度足够小时，电子和空穴无法越过PN结而被阻挡。此时，PN结处于截止状态，电流不能通过。