某一RAM芯片,其容量为32K*8位,除电源和接地端外,该芯片引出线的最小数目应为?

Answer 1

2114（1K×4位）。

DRAM特点如下：

存储原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元）。

刷新（再生）：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作。

刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。

优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低。

缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。

尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。

扩展资料：

DRAM利用电容存储电荷的原理保存信息，电路简单，集成度高。由于任何电容都存在漏电，因此，当电容存储有电荷时，过一段时间由于电容放电会导致电荷流失，使保存信息丢失。

解决的办法是每隔一定时间（一般为2ms）须对DRAM进行读出和再写入，使原处于逻辑电平“l”的电容上所泄放的电荷又得到补充，原处于电平“0”的电容仍保持“0”，这个过程叫DRAM的刷新。

DRAM的刷新操作不同于存储器读/写操作，主要表现在以下几点：

（1）刷新地址由刷新地址计数器产生，不是由地址总线提供。

（2）DRAM基本存储电路可按行同时刷新，所以刷新只需要行地址，不需要列地址。

（3）刷新操作时存储器芯片的数据线呈高阻状态，即片内数据线与外部数据线完全隔离。

参考资料来源：百度百科-随机存取存储器