使用场效应管控制电流问题

使用场效应管来控制电路开闭时,当开时,Rgs->0,GD之间会不会有电流?怎么减少着一电流对受控电路的影响?谢谢!!
[我实验的结果是:在受控电路(无电源)中串入一个电阻(R=100k),结果R两端有大约90mv的电压。不知道是什么原因。]
谢谢!如果是mos型的呢?

对于JFET来说,有增强型和耗尽型两种,如果是耗尽型,当栅源电压为零时,场效应晶体管导电沟道就是存在的,所以一定会有电流。但是如果你用的是增强型管子,理想状态是当你加的栅源电压小于阈值电压时,完全不会有电流,但是这也不可能,因为,反向漏电流是一定存在的。

如果是mos,也是一样的,因为mos和JFET都有漏电流,pn结也有,我们一般所知道的pn结单向导电性只是忽略了其反响漏电流的影响。
如果要减少漏电流的影响的话,第一,从工艺上改进,也就是做更好电学特性的场效应管,比如离子注入或增加栅氧厚度或采取更高介电系数的介质,以调节阈值电压,但这基本是不能做到的,因为我们不是厂家,我们的特殊需求成本太高。而且工艺上的东西都是很难说的,“蝴蝶效应”知道吧?对微电子器件尤其是对集成电路的生产都会造成巨大影响。
那么如何改善,我的想法是,串入一电流源,其电流方向与漏电流方向相反,大小基本相同,抵消漏电流的影响。
但是电流源也是由晶体管组成的,一样会有漏电流,所以,如果漏电流对你的电路影响不大的话,不需要采取什么措施。一般情况下其影响都是不大的,因为如果微小的漏电流必然影响电路特性的话,那我们还用各种晶体管做什么呢?
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使用场效应管控制电流问题
解析:对于JFET来说,有增强型和耗尽型两种,如果是耗尽型,当栅源电压为零时,场效应晶体管导电沟道就是存在的,所以一定会有电流。但是如果你用的是增强型管子,理想状态是当你加的栅源电压小于阈值电压时,完全不会有电流,但是这也不可能,因为,反向漏电流是一定存在的。如果是mos,也是一样的,...

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