三极管的饱和状态是什么?

如题所述

第1个回答  2023-10-14
发射极和集电极都正偏
第2个回答  2019-07-15
三极管饱和后C、E
间视为短路.三极管截止后C、E
间视为开路.
三极管构成的放大电路,在实际应用中,除了用做放大器外(在放大区),三极管还有两种工作状态,即饱和与截止状态。
三极管饱和状态下的特点:
要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V),而UCES=0.3V,可见,UBE>0,UBC>0,也就是说,发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后,C、E
间的饱和电阻RCE=UCES/ICS,UCES
很小,ICS
最大,故饱和电阻RCES很小。.饱和后IC不会随着IB的增加再增加,三极管饱和后C、E
间视为短路。
三极管截止状态下的特点:
要使三极管处于截止状态,必须基极电流IB=0,此时集电极IC=ICEO≈0(ICEO
为穿透电流,极小),根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,集电极与发射极间的电压UCE≈EC。三极管截止时,基极电流IB=0,而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO
可见,UBE≤0,UBC<0,也就是说,发射结和集电结均为反偏。三极管截止后,C、E
间的截止电阻RCE=UCE/IC,UCES
很大,等于电源电压,ICS
极小,C、E
间电阻RCE
很大,所以,三极管截止后C、E
间视为开路.
.三极管放大状态下的特点:
要使三极管处于放大状态,基极电流必须为:0<IB<IBS。三极管放大时,基极电流IB>0,对硅管来说,发射结的压降UBE=0.7V(锗管UBE=-0.3V),三极管在放大状态时,集电极与发射极间的电压UCE>1V
以上,UBE>0,UBC<0,也就是说,发射结正偏,集电结反偏。三极管在放大状态时,IB
与IC
成唯一对应关系。当IB
增大时,IC
也增大,并且1B
增大一倍,IC
也增大一倍。所以,IC
主要受IB
控制而变化,且IC
的变化比IB
的变化大得多,即集电极电流IC=β×IB。

三极管饱和条件是什么
三极管的饱和条件是指当基极电流(输入电流)足够大时,通过集电极和发射极之间的电流也能够达到最大值,此时三极管处于饱和状态。3. 饱和状态电流的特点 当三极管处于饱和状态时,集电极电流(输出电流)达到最大值。此时,三极管几乎没有起到放大作用,因为输出电流和输入电流之间的关系是一对一的。4. 饱...

三极管的饱和状态
一方面。三极管的饱和状态也就是三极管的输出电流饱和——输出电流不随输入电流而改变的一种状态,即输出电流恒定、只决定于输出回路的电源电压和负载电阻的一种状态。因此,在饱和状态时仍有电流通过正偏的集电结。另一方面,从三极管由放大状态进入饱和状态的过程来看:放大状态时,在输入电流驱动下,使得...

什么是三极管饱和状态
要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES...

三极管的饱和是什么意思?
因此,三极管的饱和状态被定义为“集电极-发射极间电压取最小值时,三极管的电流增加到最大值的状态”。三极管饱和是实现数字逻辑、控制和放大的重要部分。例如,在数字逻辑中,三极管用于连接数字电路、开关和放大器等。在这方面,三极管饱和的作用是开关状态转移和串行\/并行转换的快速转变。同时,三极管也可...

三极管饱和状态简单解释
三极管的饱和状态,是当发射结正偏,发射区的大量电子被拉至P区。在集电结的电场作用下,这些电子容易流向集电区,形成集电电流Ic。当Ic不足以消耗从发射区拉到P区的电子时,P区电子过剩,理论上P区变为N型半导体,集电结消失。在这种情况下,电子流直接从发射区通过发射结,穿越“基区集电区结合...

三极管饱和状态指什么
ggg饱和状态是指三极管两端电压基本不变(很低),集电极电流与基极电流已经严重偏离IC=B*IB的关系,一般此时的放大倍数只小于5,饱和状态不一定发生在大电流情况下,任何集电极电流下都可进入饱和区,只要集电极电压降到足够小,就进入饱和状态.

三极管饱和条件
三极管进入饱和状态,其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关,而且明显随UCE增大而增大,IC《IB。在实际电路中,如晶体管的UBE增大时,IB随之增大,但IC增大不多或基本不变,则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管,可以认为当UCE=UBE,及UCB...

三极管的饱和状态是什么?
发射极和集电极都正偏

三极管饱和区的“饱和”是指什么饱和?为什么要叫饱和呢?
在晶体三极管中,发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域,就是晶体管饱和区。在此区域内,VCE<VBE,βIB>IC,VCE≈0.3V 。当三极管的集电结电流Ic增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,进入饱和区。饱和时,Ic最大,集电极和发射之间的内阻最小,电压Uce只有0.1V~0....

通俗理解晶体三极管之“饱和”状态
晶体三极管工作状态分为三种基本类型:截止、放大与饱和。在三极管的输出特性曲线中,NPN型共射极输出为例,三种状态分别对应不同工作区域。集成电路的兴起与广泛使用,使得放大功能逐渐由性能更优的集成芯片替代。“饱和开通”与“截止关闭”状态在开关应用中较为常见。通俗理解“饱和开通”:当“供”(...

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