二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：
正向特性：u>0的部分称为正向特性。
反向特性：u<0的部分称为反向特性。
反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。
势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。
变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。
平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。
非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。
扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd
相关原理
二极管伏安特性曲线
加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。
正向特性：u>0的部分称为正向特性。
反向特性：u<0的部分称为反向特性。
反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。
势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。
变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。
PN结的势垒电容
平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。
非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。
扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd
伏安特性曲线实验原理
伏安特性曲线实验的原理主要基于小灯泡钨丝的电阻随温度变化的特性。实验中，我们通过测量灯泡两端的电压（V）与通过它的电流（I）的比值，即R=V\/I，来研究小灯泡的电阻和电功率与外加电压的关系。在实验中，由于小灯泡的电阻通常在几欧姆到几十欧姆之间，采用电流表外接法测量电阻更为合适。为了获取小...
小灯泡的伏安特性曲线
1、小灯泡的伏安特性曲线不是一条直线。2、曲线原因的分析：根据欧姆定理，RU应该是一条直线，但是那仅仅是理想IU来说，RI电阻，R是恒定不变的但是在现实的试验中，电阻R是会受到温度的影响的。3、此时随着电阻本身通过电流，温度就会增加，R自然上升，对于R代表图线中的斜率，当R不变时，图像是直线...
伏安特性曲线相关原理
伏安特性曲线是描述二极管在不同电压（u）和电流之间关系的重要图形。它分为正向特性和反向特性两个部分。当PN结两端施加正向电压（u>0）时，我们观察到正向特性，此时电流相对稳定。而当电压为负向（u<0）时，进入反向特性区域，如果反向电压超过特定阈值（U（BR）），电流会急剧增加，这种现象被称为反...
高中物理伏安特性曲线
根据欧姆定律：I=（8-U)\/4 所以：2=I+U\/4 从图像上找到符合上式的点，其中的电流I就是通过该元件的电流 并联时：2I=(8-U)\/4 (其中每个支路的电流没为I)所以：2=2I+U\/4 同理从图像上找到符合上式的点，记下U和I,其中的电流I就是通过其中一个元件的电流，所以，功率为UI....
小灯泡的伏安特性曲线
描绘小灯泡的伏安特性曲线（I-U曲线），探究小灯泡的电阻变化规律。实验原理：由于小灯泡钨丝的电阻随温度而变化，因此可利用它的这种特性进行伏安特性研究。实验中小灯泡的电阻等于灯泡两端的电压与通过灯泡电流的比值。改变小灯泡两端的电压，测出相应的电流值，可以得到小灯泡的电阻、电流与外加电压的关系...
伏安特性曲线的相关原理
二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：正向特性：u>0的部分称为正向特性。反向特性：u<0的部分称为反向特性。反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容...
伏安特性曲线
可能啊 R=U\/I 可见，电流一样的前提下，也就是I不变，电压越大，电阻越大。伏安特性曲线，主要考虑的是温度的影响，电流一样，温度就不会变
二极管伏安特性曲线
1. 当外加电压Uw的方向从P极指向N极时，如果Uw的值大于二极管的起动电压，二极管将处于导通状态。2. 相反，如果外加电压Uw的方向从N极指向P极，并且Uw的值大于二极管的反向击穿电压，二极管则会进入击穿状态。3. 伏安特性曲线是用来定性描述二极管两端电压与流过二极管的电流之间关系的图形，它展示了这...
伏安特性曲线总结
1、伏安特性曲线。伏安特性曲线用来描述光敏电阻的外加电压与光电流的关系，对于光敏器件来说，其光电流随外加电压的增大而增大。2、光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。随着的光照强度的增加，光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度，则电阻值变化减小，然后逐渐趋向...
理想电压源的伏安特性曲线
伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。实验原理 由于小灯泡钨丝的电阻随温度而变化，因此可利用它的这种特性进行伏安特性研究。实验...
