反向击穿电压ubr的名词解释
反向击穿电压ubr的名词解释：当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。UBR是英文breakingreversevoltage的缩写，中文意思是可使毁坏的反向电压，就是反向击穿电压。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。它具有单向导...
稳压二极管和普通二极管有什么区别
工作状态不同、反向击穿电压不同等。1、工作状态不同：普通二极管一般在正向电压下工作，稳压管则在反向击穿状态下工作。2、反向击穿电压不同：普通二极管的反向击穿电压一般在40V以上，高的可达几百伏至上千伏，而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡，即反向击穿电压的范围较大，动态电阻也比较大。对于稳...
为什么说三极管的三个击穿电压?
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcbo>BVceo>BVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo<20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。所以...
栅氧的正向和反向击穿电压的区别
它们的区别在于：根据x技术查询得知：1.施加的电压极性不同：正向击穿电压是指在栅氧层上施加正向电压，而反向击穿电压是指在栅氧层上施加反向电压。2.击穿机理不同：正向击穿电压是由于栅氧层中的电荷分布不均匀，导致局部电场强度过大，引起栅氧层击穿。而反向击穿电压是由于栅氧层中的陷阱电荷积累，...
二极管反向击穿电压是多少
二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。反向击穿的现象发生在很多情况下面，比如二极管，三极管等等。以二极管为例：二极管是正向导通的，二极管两端加反向电压...
当反向电压小于击穿电压二极管处于截止状态。我需要解析。我不理解什...
导体），也就是处于导通状态！那么当反向电压为200V时，小于500V的反向击穿电压，则二极管完好，由于二极管具有“单向导电性”在没有击穿时，反向是“绝缘体”此时加的反向电压为200V.二极管是“绝缘体”不导通！也就是处于截止状态！因此：总结起来讲；当反向电压小于击穿电压时，二极管处于截止状态 ...
为什么在温度升高的时候反向击穿电压会变小
1. 你提到的现象似乎是指半导体器件，特别是晶体管在高温环境下的行为。确实，随着温度的升高，晶体管的许多参数都会受到影响，包括反向击穿电压。2. 反向击穿电压是指在半导体器件的反向偏置条件下，当电压达到一定程度时，器件内部会发生击穿现象。在高温下，这一电压阈值通常会降低，这是因为温度升高导致...
三极管四种反向击穿电压的解释
1) V(BR)CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V(BR)CEO。应该注意...
双向晶闸管反向击穿电压是多少
双向晶闸管的反向击穿电压为600V。双向晶闸管由两个普通晶闸管反向并联构成，属于NPNPN五层半导体结构，相当于一个反并联的晶闸管电路，其具有双向导通的能力，即无论加正向电压还是反向电压，只要控制极有触发电流，它就可以被触发导通。关于双向晶闸管的反向击穿电压，我们可以理解为在一定条件下，反向加在...
什么影响LED的反向电压呢?
反向电压：只要对二极管施加反向的电压就叫反向电压。一般反向电压没有数值定义。无论电压多大，只要是反向的，就是反向电压。反向击穿电压：对二极管施加反向电压时，当PN结发生齐纳或雪崩击穿、并且反向电流达到规定的数值时，此时对应的电压就叫反向击穿电压。LED通常不会使用在有反向电压出现的场合，所以芯片...
