三极管放大电路基本原理

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三极管放大电路基本原理是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化。

一、三极管是一种具有放大电流功能的半导体基础元件，它是电子器件的重要组成部分。三极管是在一个半导体衬底上制造出两个紧密相连的 PN结，将整个半导体分为三个区域，基区位于中部，集电区位于发射区。

二、通过电阻器 Rb将电源 Ub施加到发射结，使发射结处于正的位置，并且在发射区中的大部分载流子（自由电子）通过发射结持续地通过发射结进入基区，从而构成发射电流 Ie。而基区的大部分载流子也在发射区中扩散，但是由于大部分载流子的密度比发射区的载流子密度要低得多，所以可以将其视为主要的电子流。

三、电子在进入基区后，会聚集在发光结附近，逐渐产生电子密度差异，在这种差异的影响下，电子在基区中向集电结扩散，并被集电区吸到集电区，从而形成集电极电流 Ic。另外，由于基区较薄，电子与基区的空穴结合，扩散的电子流与复合的电子流比率决定了其放大性能。

四、三极管的主要功能是电流放大，其本质是三极管可以通过极小的基极电流改变而对集电极的大电流进行控制，这是三极管中最基础、最关键的功能。

三极管分类

1、小功率晶体三极管：小功率晶体三极管的功率一般小于0.3W，它是电阻电路重用的最多的晶体三极管之一，主要用来放大交、直流信号或应用在振荡器、变换器等电路中。

2、中功率晶体三极管：中功率晶体三极管的功率一般在0.3~1W之间，这种晶体管主要用于驱动电路和激励电路之中，或者是为大功率放大器提供驱动信号，根据工作电流和耗散功率，应采用适当的散热方式。

3、大功率晶体三极管：大功率晶体三极管的功率一般在1W以上，这种晶体三极管由于耗散功率比较大，工作时往往会引起芯片内温度过高，所以通常需要安装散热片，以确保晶体三极管良好的散热。