温度变化时会引起BJT的哪些参数变化?如何变化

Answer 1

温度变化时会引起BJT的禁带宽度和少数载流子浓度这两个参数变化。正向压降随着温度升高而降低,反向电流随着温度升高而很快增大,势垒电容随着温度升高而增大等。

因为BJT是半导体制造的,而半导体在此有两个参数是与温度有关的：一个是禁带宽度（一般随着温度的升高而减小）；二是少数载流子浓度（随着温度的升高而指数式增大）。

扩展资料：

BJT的分型：

1、NPN型：

NPN型晶体管是两种类型双极性晶体管的其中一种，由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体（基极）组成。输入到基极的微小电流将被放大，产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压，并且集电极电压高于基极电压。

则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中，晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流，是发射极注入到基极区域的电子（在基极区域为少数载流子），在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高，因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。

2、PNP型：

双极性晶体管的另一种类型为PNP型，由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时，集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。

在双极性晶体管电学符号中，基极和发射极之间的箭头指向电流的方向，这里的电流为电子流动的反方向。与NPN型相反，PNP型晶体管的箭头从发射极指向基极 。

3、异质结双极性晶体管：是一种改良的双极性晶体管，它具有高速工作的能力。研究发现，这种晶体管可以处理频率高达几百GHz的超高频信号，因此它适用于射频功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛刻的应用。

异质结是PN结的一种，这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性晶体管中，发射结通常采用异质结结构，即发射极区域采用宽禁带材料，基极区域采用窄禁带材料。常见的异质结用砷化镓（GaAs）制造基极区域，用铝-镓-砷固溶体（AlxGa1-xAs）制造发射极区域。

采用这样的异质结，双极性晶体管的注入效率可以得到提升，电流增益也可以提高几个数量级。

参考资料来源：百度百科-双极性晶体管

Answer 2

BJT是半导体制造的，而半导体在此有两个参数是与温度有关的：一个是禁带宽度（一般随着温度的升高而减小）；二是少数载流子浓度（随着温度的升高而指数式增大）。

因此，BJT凡是与这两个参数有关的性能都将发生变化。例如：正向压降随着温度升高而降低，反向电流随着温度升高而很快增大，势垒电容随着温度升高而增大等。

BJT由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。

在基极区域，空穴为多数载流子，电子是少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。

扩展资料：

双极性晶体管功率参数

1、电流和电压

当集电极电流增大到一定数值后，虽然不会造成双极性晶体管的损坏，但是电流增益会明显降低。为了使晶体管按照设计正常工作，需要限制集电极电流的数值。

除此之外，由于双极性晶体管具有两个PN结，因此它们的反向偏置电压不能够过大，防止PN结反向击穿。双极性晶体管的数据手册都会详细地列出这些参数。

2、温度漂移

作为一种模拟的器件，双极性晶体管的所有参数都会不同程度地受温度影响，特别是电流增益。据研究，温度每升高1摄氏度，大约会增加0.5%到1%。

抗辐射能力

双极性晶体管对电离辐射较为敏感。如果将晶体管置于电离辐射的环境中，器件将因辐射而受到损害。

产生损害是因为辐射将在基极区域产生缺陷，这种缺陷将在能带中形成复合中心（recombination centers）。这将造成器件中起作用的少数载流子寿命变短，进而使晶体管的性能逐渐降低。

参考资料：百度百科-双极性晶体管

参考资料：百度百科-BJT

Answer 3

BJT是半导体制造的，而半导体在此有两个参数是与温度有关的：一个是禁带宽度（一般随着温度的升高而减小）；二是少数载流子浓度（随着温度的升高而指数式增大）。
因此，BJT凡是与这两个参数有关的性能都将发生变化。例如：正向压降随着温度升高而降低，反向电流随着温度升高而很快增大，势垒电容随着温度升高而增大等。
有关的物理问题可参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。