如何看懂MOSFET手册

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元器件手册（datasheet）对于电路设计和调试至关重要，特别当电路出现问题时往往能够从手册中找到答案。对于初学者来说，经常对其一头雾水。本文章将通过讲解最具代表性的器件——MOSFET，以Fairchild的N-MOSFET-2N60C为例来分享如何看懂元器件手册。

MOSFET涉及面甚广，其中2N60C的IC手册包含多个关键参数，如通流能力、导通电阻、栅极总充电电量和反向传输电容等。下面逐一解释这些参数。

通流能力：1.9A,600V表示MOSFET在常温下的通流能力为1.9A，关断时DS耐压为600V。

导通电阻：RDS(on)=4.7Ω（MAX）@VGS=10V,ID=0.95A表示在该测试条件下，导通电阻最大为4.7Ω。

栅极总充电电量：低栅极总充电电量，表示MOSFET的门极驱动损耗，影响开关速度及损耗。此参数越小越好。

反向传输电容：低反向传输电容（也叫米勒电容），影响MOSFET的开关速度及损耗。此参数越小越好。

雪崩测试：100% Avalanche Tested表示MOSFET在短路保护或雷击浪涌时具有较强的能力，对于此类情况具有重要意义。

RoHS Compliant表示该器件符合RoHS规定，有利于人体健康和环境保护。如果产品出口到欧盟国家，选择带有RoHS的器件是必要的。

MOSFET手册还包括Description部分，描述IC的运用技术、特点和应用场合。例如，2N60C运用了planar stripe和DMOS技术，使得导通电阻更低、高频性能更优越、雪崩能量强度更高，适合应用在开关电源、PFC等场合。

值得注意的是，DMOS技术虽然传统，但存在EMC问题。同时，高压MOSFET能够实现高压是由于内部多个MOSFET串联而成，从而增大导通电阻。

封装部分也应关注，N型MOSFET图标的箭头朝里，购买物料时需要提供完整封装信息，否则会影响采购理解。

Absolute Maximum Ratings描述了器件的最大额定值。设计时要确保管子在最恶劣条件下都不能超过这些额定值，即要求降额设计。手册中会给出推荐的降额范围，如ST推荐70%~90%，但追求极致品质的公司甚至可以降低到50%或更低。

手册中会详细描述各项参数的含义，如VDSS/BVDSS（漏源极间耐压）、ID和RDS(on）（漏极电流和导通电阻）、VGSS和VGS(th）（极限开启电压和开启电压）等。这些参数与温度、电压、电流等因素密切相关，设计电路时需谨慎考虑。

综上所述，通过详细阅读MOSFET手册中的各项参数和描述，设计师能够更好地理解器件特性，从而在电路设计中做出明智的决策。随着对手册的深入理解，设计师将能更熟练地应用MOSFET，解决实际问题。