以NMOS三极管为例，把源极S和衬底接地，在栅源间加上正电压Vgs，即在栅极和衬底之间形成的电容上加上正电压，则衬底表面将感应出负电荷来。当栅极电压Vgs大于某一临界位以后，便可以感应出足够的负电荷，在衬底的上表面形成一个N型层(也称为反型层，因为它处于P型衬底的半导体中)，从而把源极S与漏极D连接起来，如图所示,我们把这一个反型层称为导电沟道，把开始形成导电沟道所需的Vgs称为开启电压(夹断电压同理)，记为Ut。随着Vgs的增大，导电沟通也随之加宽。
请看下图的场效应管特性曲线，变量是Vgs。Vgs变化导致栅极和衬底的电压变化，从而改变导电沟通，即改变了三极管的工作点。
若场效应管衬底直接接地，源极悬空或者不接地，Vgs和栅极衬底电压的关系也会改变（开始形成导电沟道所需的Vgs也不一定是Ut了），会影响三极管的工作特性
场效应管衬底与源极短接和直接接地有什么区别
若场效应管衬底直接接地，源极悬空或者不接地，Vgs和栅极衬底电压的关系也会改变（开始形成导电沟道所需的Vgs也不一定是Ut了），会影响三极管的工作特性
mos只有衬底接地时,栅极输入和源极输入或漏极输入有什么区别?
第一次听说mos管衬底接地，我们应用mos管时，只能使用G、D、S三个极，衬底是封装在内部的，没办法接地。
mos场效应管 B端是什么
B端是衬底，与S端短接。
在平面工艺的集成电路电路生产中,为什么mos器件的衬底极源极短接?
衬底极源极短接有三个可能性原因 一是原设计图疏失 二是制作光罩不良 三是芯圆工艺不良
场效应管s极和b极为什么要接在一起
避免电压漂移。对于单个独立的MOS场效应管，衬底B通常与源极S连接在一起，这样两个电极的电位是一致的，这样可以避免体效应引起阈值电压的漂移。电压漂移是一种电压变化的现象，是指电压在一段时间内发生的变化，可以是短暂的，也可以是持续的，可以是正的，也可以是负的。
场效应管的使用注意事项
众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,从图1上可以看出其两大结构特点:第一,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P...
场效应晶体管——MOSFET (II)
分析MOSFET的电流-电压关系时，通常会做如下假设：源和衬底接地，源区和漏区的电压降可以忽略，不存在产生-复合电流，沟道电流为飘逸电流，沟道内载流子迁移率为常数，沟道与衬底间反向饱和电流为零，缓变沟道近似等。当栅压大于阈值电压且固定时，漏源电压的变化会促使沟道变化，影响漏极电流。在分析过程...
请问VMOS场效应管的衬底外延层为什么采用的是低掺杂?
因为杂质散射会降低载流子迁移率，而MOS管导通时，载流子在衬底顶部、栅氧层下面的反型层中运动，所以需要低掺杂。”源极引线要引入两个层"：1. 如果你指的是源区或漏区向沟道延伸出的、在栅极下面的低掺杂区(Halo)，它们把PN结变为P+ \/ P \/ N或N+ \/ N \/ P结构，这样可以减小耗尽层中的...
MOS的源极和漏极有什么区别?
2、作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。3、对应电位不同。但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源...
场效应晶体管——MOSFET (I)
MOSFET的基本结构包括漏极(D)、栅极(G)、源极(S)和衬底(B)。当栅压正向偏置时，氧化层中的电荷会形成一个电场，驱动半导体中的电子移动，形成一个由金属指向半导体的沟道。电荷的分布和控制直接影响了MOSFET的工作特性，如电容和阈值电压的形成。理想MOSFET的特点包括无功函数差、无电荷积累和无界面态...
