为什么国外将晶体管用re模型替代，国内用rbe，有什么区别吗

国外的教材将三极管用re加受控源等效，而国内的都是rbe ，其中re等于26mv/Ie，这和国内的rbe有什么区别？而且我看国外教材后面都是用re模型，这到底是怎么回事啊？

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晶体管用h参数模型,还是re模型
h参数，只是为了简化三极管的交流参数计算在实际应用中，如果三级是工作在线性区的话用h参数即可。实际的工业界应用，一般用运算放大器的情况更多

晶体管的rbe是什么意思?
在晶体管π形等效电路中，发射结电阻一般用rb'e表示，但如果用T形等效电路，发射结电阻则多用r'e（有些书籍直接写作re）表示，T形等效电路更接近晶体管内部的半导体结构，因此在半导体书籍中有时比π形等效电路更常用。晶体管共基极接法，T形等效电路也更实用。

晶体管rbe是什么意思啊
rbe是晶体管的交流输入电阻，输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成：1.基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧；2.发射极体积电阻很小一般忽略；3，基极、发射极结电阻跟β与电流IE有关公式为：β×26(mv)\/I(ma) ∵rbe=rbb+β×(26mv)...

在射极偏置放大电路re模型(国内叫H参数模型)中考虑内阻Rce即Ro,Zb是...
ri=RB\/\/rbe+(1+β)(Re1+Re2) rbe=rbb+(1+β)*26\/[(1+β)IBQ] ro=RC Au=β(RC\/\/RL)\/[+(1+β)(Re1+Re2)] Aus=[ri\/(ri+Rs)]*Au vo=Aus*Us 这是所有的公式，你可以代数计算就行了。

模电的微变等效电路中rbe到底怎么求??公式前面那个常数有时候是200...
rbe=rbb’+(1+β）(re+re')，这个电阻和工作状态有关，具体的说和滞留工作点有关。一般估算是，150~350都是合理的，工程应用时并没有统一的标准。晶体管的输入端加交流信号vi时，在其基极将产生相应的变化电流b，如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。因此晶体管的输入端b、e之间用一...

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rbe是什么意思?
1+β)*26\/Ie（mA）。在晶体管π形等效电路中，发射结电阻一般用rb'e表示，但如果用T形等效电路，发射结电阻则多用r'e（有些书籍直接写作re）表示，T形等效电路更接近晶体管内部的半导体结构，因此在半导体书籍中有时比π形等效电路更常用。晶体管共基极接法，T形等效电路也更实用。

rbe是什么意思?
rbe是晶体管的交流输入电阻，输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成：1.基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧；2.发射极体积电阻很小一般忽略；3，基极、发射极结电阻跟β与电流IE有关公式为：β×26(mv)\/I(ma) ∵rbe=rbb+β×(26mv)...