晶体管有哪些主要参数

Answer 1

电流放大系数：电流放大系数，也称为电流放大倍数，是用来表示晶体管放大能力的参数。根据晶体管工作状态的不同，它可以分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。直流电流放大系数，也称为静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，通常用hFE或β表示。交流电流放大系数，也称为动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，通常用hfe或β表示。
耗散功率：耗散功率，也称为集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。在使用时，晶体管的实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。通常，耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
频率特性：晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。特征频率fT是指晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降，当β值降为1时晶体管的工作频率。最高振荡频率fM是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
集电极最大电流ICM：集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。
最大反向电压：最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。集电极——集电极反向击穿电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压。基极——基极反向击穿电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压。发射极——发射极反向击穿电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极之间的最大允许反向电压。
反向电流：晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。集电极——基极之间的反向电流ICBO，也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO，也称穿透电流，是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流。