1、三极管管压降就是指集电极与发射极的电压。
2、一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
3、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
扩展资料:
一、对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e 、基极b 和集电极c。
二、当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
三、压降:
1、负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压降。电压降是电流流动的推动力。如果没有电压降,也就不存在电流的流动。
2、例如,A点的电势(同0电位的电势差)是2V,B点的电势是8V,那么,A对B点来说,压降就是-6V,或者站在B点说A点压降就是6V。
四、放大原理
1、发射区向基区发射电子
(1)、电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。
(2)、同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
(1)、电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
(2)、也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
参考资料:百度百科-三极管
参考资料:百度百科-压降
管压降就是指集电极与发射极的电压。
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
什么叫三极管管压降
1、三极管管压降就是指集电极与发射极的电压。2、一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。3、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体...
三极管的管压降是指什么?
三极管的管压降一般指集电极与发射极之间的电压,即:Uce=Uc-Ue,其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”(即参考点)电压。正常工作时,基极电压Ub比发射极电压Ue高一个发射结压降Ube,所以:Ub=Ue+Ube,其中Ube是三极管的属性,硅管约0.7V、锗管约0.2V。综合上面两个式子,得出下面的关系式...
压降和Uce的区别是什么?
1、三极管Uces:即饱和状态,指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态。2、Uce:称为压降,电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化。二、原理不同 1、三极管Uces:饱和状态工作时,发射结和集电结都处于正偏,则导电很好、电流较大,这时输出的集电极电流Ic只...
一般说三极管的管压降是说的哪两个极之间的电压
一般说三极管的管压降,是指集电极与发射极之间的管压降。这个管压降一般分为三种,第一种是饱和的管压降,指该三极管基极注入足够的电流,使三极管处于饱包状态,此时的集射间的管压降。第二种指基极电流为零,这时集射间处于截止状态,集射间的管压降约等于供电电压。第三种是基极注入一定的电流,使...
三极管的压降
弱弱的问题。万用表黑笔接地,红表笔分别测量BCE极电压不就成了。切什么?当三极管导通后BE CE极就有0.7V的电压,这就是三极管的压降.对于半导体材料硅管导通电压0.7V,锗管0.3V 万用表测得BE电压后,基极减去集电极电压就是0.7.
三极管的压降是怎么回事情?
当三极管饱和后,集电极和发射极就有0.3V左右的电压,这就是三极管的管压降。
一般说三极管的管压降是说的哪两个极之间的电压?
说的是在基极B与发射极E之间加上正确的电压后,集电极C和发射极E之间的饱和压降,这就是常说的三极管的管压降
三极管的管压降和发射结压降分别讲的是什么
管压降---就是Uce,集电极与发射极之间的电压。发射结压降---就是Ube,基极与发射极之间的电压。
三极管饱和管压降为什么是0.3V?
在电子电路中,我们常常遇到一个关键的电压值——0.3V,这就是三极管在深度饱和状态下的管压降。不同于临界饱和的微妙平衡,饱和管压降代表的是一个极端且稳定的电流状态。临界与饱和的差异<\/临界饱和,如同一道微妙的门槛,当发射结正向偏置,集电结恰好开始反偏时,此时的电压关系是Ube=0.7V,Ucb=...
三极管:饱和管压降与最大管压降的区别
管压降都是指的VCE的电压,最大管压降是指的是三极管VCE所能承受的电压,饱和时管压降是指三极管饱和状态下的VCE的电压,通常为零点几V,大功率的为2~3V。饱和管压降:三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫饱和压降。最大管压降:三极管VCE所能承受的电压。