用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。
用万用表测量的方法如下:
1、T2极的确定:用万用表R*1档或R*100档,分别测量各管脚的反向电阻,其中若测得两管脚的正反向电阻都很小(约100欧姆左右),即为T1和G极,而剩下的一脚为T2极。
2、T1和G极的区分:将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极,万用表设置为R*1档,用两表笔(不分正负极)分别接触已确定的T2极和假设的T1极,并将接触T1的表笔同时接触假设的G极,在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表仍显示导通状态。
3、将表笔对换,用同样的方法进行测量,如果万用表仍然显示同样的结果,那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表显示断开状态,说明假设的T1和G极相反了,从新假设再进行测量,结果一定正确。
如果测量不出上述结果,说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数,但判断是否可用还是可行的。
扩展资料
两极双向可控硅使用需有条件:
(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用。
(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。
(3)为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些。
一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
参考资料来源:百度百科-双向可控硅
参考资料来源:百度百科-万用表
方法一: 测量极间电阻法。将万用表置于皮R×1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R×10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆 时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之,若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用;如果测得T1-G之间的正反向电阻很大(接近∞)时,说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏,也不能使用。
方法二: 检查触发导通能力。万用表置于R×10档:①如图,1(a)所示,用黑表笔接主电极T2,红表笔接T1,即给T2加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置,说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的,如图1(b)所示,改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果结果同上,也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的,即在两个方向(在不同极性的触发电压证)均能触发导通。
方法三: 检查触发导通能力。如图2所示.取一只10uF左右的电解电容器,将万用 表置于R×10k档(V电压),对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线,即利用电容器上所充的电压作为触发信号,然后再将万用表置于R×10档,照图2(b)连接好后进行测试。测试时,电容C的极性可任意连接,同样是碰触一下后离开,观察表头指针偏转情况,如果测试结果与“方法二’相同,就证明双向可控硅是好的。
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