IGBT的损耗计算

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第一章 IGBT FF450R12ME4功率损耗计算

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块由逆变管和并联二极管组成，损耗分为通态损耗和开关损耗。二极管损耗同样包括这两类。本文详述了计算公式及推导过程，并以FF450R12ME4型号IGBT为例，依据实际电流、电压参数和该型号技术参数，计算出功率损耗。

1. IGBT损耗计算

1.1 单个IGBT通态损耗计算。

单个IGBT模块仅负责半周波电流，因此通态损耗可由公式计算得出。需参考IGBT与Ic的典型曲线图，计算通态阻抗电阻。由于非线性关系，计算相对复杂，数据手册提供曲线支持。

载波频率选取合理值，结合模块资料计算一个周期中IGBT开启和关段的损耗能量。

1.2 单个二极管关断损耗计算。

二极管开通损耗可忽略，主要计算关断损耗。采用与IGBT类似的方法推导公式。以1.23倍过载为依据，得到计算公式。

整流桥损耗计算。

整流桥输入为工频电压，开关损耗相对较小，主要考虑通态损耗。参考MDC2001634资料，将公式带入计算。

计算结果为：单个IGBT损耗功率为106.875W，单个二极管为5.878W。整流桥损耗功率为：225.56W。