电力电子技术问题 SCR GTO GTR IGBT MOSFET 对触发脉冲要求的异同点
脉冲宽度为窄脉冲,为电源周期的5%,脉冲幅值可以取为5~10V,如果设置触发延迟角α为45度,只需将相位延迟参数设置为2.5ms,可以根据需要自己设置触发角,不同的电路可能还要设置相应的死区时间,即要留有一定裕度,
电力电子SCR,GTO,MOSFET,GTR,IGBT对触发脉冲要求的异同点
GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET驱动电路的特点是:要求驱动电路具有较小的输入电阻...
SCR.GTO.GTR功率MOSFET。IGBT的各自优缺点
其中属于双极器件的有:SCR、GTO、GTR以及IGBT;单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通。而不像是二极管过了导通电压就能直接导通,但其关断不能通过门极关断,而是将电流减小至某个值以下,或...
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详...
电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好 mosfet(电力场效应晶体管)驱动电路简单,需要驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性高于GTR但是电流容量小 IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet...
gto、gtr、mosfet、igbt的区别是什么?
3. MOSFET(电力场效应晶体管):驱动电路相对简单,所需驱动功率小,开关速度快,工作频率高。其热稳定性优于GTR,但电流容量较小。4. IGBT(绝缘栅双极晶体管):结合了GTR和MOSFET的优点,同样具有电导调制效应和强大的通流能力。然而,其开关速度较慢,所需驱动功率较大,驱动电路也较为复杂。
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详...
IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿...
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详...
单管GTR饱和压降VCES低,开关速度稍快,但是电流增益β小,电流容量小,驱动功率大,用于较小容量的逆变电路。MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变...
IGBT,GTR,VMOSFET,SCR,GTO的开关速度比较?答案
GTR目前其额定值已达1800V\/800A\/2kHz、1400v\/600A\/5kHz、600V\/3A\/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为:GTO<SCR<GTR<IGBT<MOSFET 另外,设计电路中选择功率器件不能只...
GTO和IGBT有何异同?
IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断晶闸管 GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下:1.GTO的驱动电路:分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种,直接耦合应用范围广,但是功耗大,效率低。给出的例子就是其驱动特点:原方N1到副方N2出项两种导通:正向:C3放电—...
做SCR ,GTO,MOSFET,GTR,IGBT实验时注意事项有哪些?
1)注意防静电,尤其是MOS 2)GTO,IGBT,GTR这些高压大电流的,注意别弄死自己 3) 有条件可以加些保护监控电路,壳温监测、过流监测等,情况不好直接断电,保证实验室中电路保险合格,发生异常可以自动跳闸等等 其他至于炸不炸的,原因很多,驱动,散热等等,不用太担心炸的声音还没个屁响 ...