47、对于可控开关器件MOSFET和IGBT，以下哪种说法是正确的？ ( )
A、MOSFET比IGBT更适合于高电压应用
B、IGBT具有比MOSFET更高的开关频率
C、(C) (A)、(B)都正确
D、(D) (A)、(B)都不正确
47、对于可控开关器件MOSFET和IGBT,以下哪种说法是正确的? ( )
是d，都不正确。1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。 2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。
IGBT与MOSFET的分类与9大异同点
IGBT适合高压大电流应用。与MOSFET相比，IGBT开关速度较慢，关断时间较长，不适合高频应用。IGBT的主要优势是能够处理和传导中至超高电压和大电流，拥有非常高的栅极绝缘特性，且在电流传导过程中产生非常低的正向压降，哪怕浪涌电压出现时，IGBT的运行也不会受到干扰。在选择IGBT时，关键参数包括额定电压、额...
IGBT,可控硅,MOSFET的工作原理,区别。
mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。所以，像动车组，电动汽车等都用它（反相击穿电压几千伏）。由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所...
可控硅、MOSFET、IGBT各有哪三个极,这三者谁的功率可以做最大?谁的...
可控硅能承受的功率最大，mosfet是三者中工作频率最高的，理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右，但只适用于10KW以下的电力电子装置 参考资料：《电力电子技术》西安交通大学
关于器件换流,下面表述正确的是哪一个?
GTO、SCR等可控器件的关断都是属于器件换流。C.变流电路中，IGBT、MOSFET等全控型器件的关断从而使电流通路转移到另一支路，属于器件换流。D.变流电路中，二极管从反向截止到正向导通属于器件换流。正确答案：变流电路中，IGBT、MOSFET等全控型器件的关断从而使电流通路转移到另一支路，属于器件换流。
mos管和igbt哪个好
对于需要高频开关、小体积、低功率损耗的场合，MOS管更为合适。而在需要处理大电流、高电压的场合，如工业电机控制和电力系统，IGBT因其强大的功率处理能力而更受欢迎。在某些混合应用场合，如新能源汽车和风电变流器，可能两者都会使用，以应对不同的功率需求。综上所述，无法简单地说哪一种器件更好，...
一文清晰了解Mosfet与IGBT的区别
在电子设计中，MOSFET和IGBT作为常见的开关元件，它们的选择取决于特定的应用需求。它们之间的差异主要体现在以下几个方面：首先，定义上，MOSFET是金属-氧化物半导体场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极电流，有N型和P型两种，适用于放大和开关等场合。IGBT则是绝缘栅双极型晶体管，由晶体管和MOS管组成，...
MOSFET与IGBT之争:半导体器件的巅峰对决
而IGBT则是MOSFET和BJT的结合，其工作原理类似，通过栅极控制电流。IGBT在高电压、大电流场景表现出色，具有低导通损耗和高电流密度，广泛用于电机驱动和高压直流输电。然而，其开关速度较慢，不适合高频应用。在选择使用哪种器件时，应根据实际需求权衡，如需要高速度和低损耗，MOSFET可能是优选；对于大功率...
MOSFET和IGBT区别
在选择MOSFET和IGBT时，需考虑具体应用的需求，如开关电源和高频电源中，MOSFET可能更具优势；而对于需要快速开关和高功率输出的应用，IGBT可能是首选。此外，导通和关断损耗、二极管恢复特性以及兼容的栅极驱动电路设计都是选择过程中需要考虑的关键因素。总的来说，MOSFET和IGBT各有其适用场景，没有绝对的...
igbt和mos管的区别有哪些 igbt和mos管能互换吗
MOSFET可以通过零压关断或负压关断。而IGBT只能通过负压关断。如果电路的驱动电路仅支持零压关断，则不能替代。3、功率管并联 MOSFET具有正温度特性，可以直接并联以扩大电流。而IGBT具有负温度特性，不能直接并联。如果电路中使用了多个并联的MOSFET，则不能用IGBT简单替换。4、电路是否需要开关器件续流二极管 ...
