lceo=表示集电极发射极反向电流。
lceo的“反向”，是针对电源电流电压逆三极管集电结说的。集电极—发射极的电压流是反向电压流。集电极的电流也是反向电流。
你再仔细看看书，看看图，就会很快明白。
lceo=表示集电极发射极反向电流。
lceo的“反向”，是针对电源电流电压逆三极管集电结说的。集电极—发射极的电压流是反向电压流。集电极的电流也是反向电流。
三极管中的ICBO和ICEO是什么?什么事反向电流?求详细。
Icbo：发射极开路，集电极和基极正向额定电流！Iceo：基极开路，集电极和发射极正向额定电流！反向电流是指晶体管在截止状态下反方向漏电电流！
为什么三极管Ice比Icbo大那么多,他们不都是反偏的吗 求高手高手高高手...
Icbo是在发射极开路状态下，CB结间的反向漏电流。这个数值一般很小，也没有被放大。所以相比之下三极管Iceo比Icbo大很多。
三极管反向电流Icbo,传透电流Iceo,这里的c、b、e、o都代表什么?指的是...
Iceo是指基极开路时，流过三极管集电极-发射极之间的电流。此值也是越小越好，一般硅管的Iceo也在纳安级，可忽略不计。字母c表示三极管的集电极，b表示基极，e表示发射极。o就是英文单词open的第一个字母，意即开路。
三极管 Iceo与Icbo关系及证明
Iceo 与 Icbo 分别是CE、CB之间的漏电流，测试时在CE之间加一个电压，B悬空，测CE之间的电流；在CB之间加一个电压，E悬空，测CB之间的电流。所施加电压变化，电流也会随之变化，一般说来，电压越大，电流也越大，温度对漏电流也会有较大影响，但Iceo与Icbo之间没有什么关系的。
三极管的三个级怎么区别啊?
输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图2（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。截止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至...
...而是Ic=βIb+(1+β)Icbo,这条式子是怎么来的?
Icbo是集电极反向电流，Iceo是集电极穿透电流。由于这两个电流比正常工作时的电流要小得多，将三极管理想化时都忽略不计，以简化分析和计算。但这两个参数实际存在，而且对三极管的工作稳定性有很大影响，所以需要通过测试检查这两个参数是否符合标准。因为Icbo从集电极流向基极，所以基极实际电流是Ib+Icbo，...
Iceo是什么电流
也就是器件手册上的Iceo。锗材料晶体管此电流非常小,用万用表一般是量不出来的。严格的说均要用专用仪器或晶体管特性图示仪在规定的条件下测量数据才有效。ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。在理想情况下，穿透电流为零。
关于三极管的基础问题
三极管截止时，原理上IC=0，考虑到漏电流可能存在，所以有此关系式，也即最大也就=漏电流了；而三极管临界饱和时，ic=βIB 还成立，当加深饱和时，Ic不再变化，而IB在增大，因此关系式就是小于了；在三极管里，工作在线性区时，说是 IB控制，或Ube控制，都可以的，尤其是小信号下，这个看三极管的...
关于NPN型晶体管内部电流关系,ICEO在图中应该怎么画,它包含在图中的ICE...
NPN是两进一出，Ic+Ib=Ie.PNP是一进两出，工艺部同，和电流方向不同。 npn是集电极流向发射极，pnp是发射极流向集电极。 一般情况PNP三极管是C极输出电流，NPN三极管C极输如电流。 在三极管甲类放大电路工作时,基极电流有两路,其中: Ib1为偏置电流、也叫静态电流或叫起始电流。其作用是使输入的Ib2...
三极管中的穿透电流即iceo是怎样产生的?产生的原因是什么?
穿透电流是晶体三极管基极未加正向偏压或开路时 流过集电极-发射极的电流与晶体管的反向电阻和温度有关 称作ICEO .而且,晶体三极管的穿透电流的大小随温度的升高而升高.通过测试ICEO的大小，就可以判断出三极管质量好坏。ICEO大的管子电流损耗大，温度易升高，工作不稳定。ICEO越小越好。在常温下，小功率锗...
