晶体管放大电路的图解法

Question

固定偏置直流分析的图解法中，可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交，就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE。
但加上射极电阻（射极偏置）后，在射--基回路KVL等式中却假设IE=(Beta+1)*IB，解得IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)。但这样不是就和图解法相违背了吗？假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管工作在放大区，若求出的IB对应的那根特性曲线和负载线相交在饱和区该怎么办？该问题也同样存在于分压偏置中。
望高手解答。
可以追加分数

Answer 1

楼主，我来说一下吧：
根据你的IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)的式子，我大概能想出电路图的样子，一点也不矛盾，当有RE和没有RE时IB是不一样的，
有RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*RB
无RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*{β*RE+RE+RB}
当对于三极管的输入特性曲线是没有变化的，由于有没有RE的关系使得上两式与输入特性曲线交点不一样，当然也确定的特性曲线和负载线相交的点也不一样。及时在饱和区也应该能画的出来。
楼主，有什么问题再联系吧，我再看了一遍，感觉楼主有点表达不明，可能问题我哪里没理解，若是这样，再联系吧...
楼主若懂了，记得采纳，不是赞成，还有记得楼主自己说的追加分数啊

追问

首先非常感谢你的回答，但你还是没回答我的问题。有RE（射极偏置）时的表达式能成立是因为有表达式IE=(Beta+1)*IB，而有IE=(Beta+1)*IB是因为做了晶体管工作在放大区的假设。若图形法最终显示负载线和特性曲线相交在饱和区，那岂不是和最初的假设冲突了？（刚刚假设在放大区的）

追答

楼主，你的意思我懂了.你的意思是，在没有明确是否工作在饱和区和放大区就用所谓的图解法是不应当的，对吧。对于楼主的问题我有两种解答办法：
中心围绕：饱和区和放大区另一个区分条件，就是UbeUce不能使用....
画图的方法：（假设工作在放大状态，假设IC=IB*Β）直接画出图像，直接标出Ube，Uce的值，若Ube<Uce,工作在放大区，这个图像是正确的，反之....
（我感觉楼主应该是大二刚学习模电的学生吧，不过图解法这种不大靠谱的解答方法，通过它了解一下失真就行了，其他不要太伤神了。不要想得这么深奥啊）
楼主若还有什么问题再联系吧，记得采纳，不是赞成，还有追加分数啊...

Answer 2

楼主问题意思是：假设晶体管T工作在放大区，由近似分析得到IBQ，用T输出特性曲线和输出回路负载线以及IBQ得到的交点却又恰好可能在饱和区，这样的前后矛盾。
如果楼主意思是我所描述的，
那么
第一：图解法是最为准确的解法，精度取决于你晶体管输入、输出特性曲线的测试。
图解法整个流程应该是：
输入回路负载线与T输入特性曲线交点求出IBQ，
再由输出特性曲线以及输出回路负载线及IBQ读出晶体管是工作在什么状态，以及UCE和ICQ
这样精度是高，但是测试输入输出特性曲线的过程麻烦。
第二：近似分析
假定T是在放大区，IC≈βIB（忽略了一些因素所得，学半导体原理的同学才能完全搞清楚，我也不懂，学模电更多是学怎么用，及知道怎么近似，近似是忽略什么）
UBE≈0.7V（其实是在0.7V左右，如果输入回路直流电源够大，可以直接将UBE压降看成0.7V，如果电源更大，甚至可以忽略，这是看你要的精度）
再结合输入回路电路图即可求出IB，
再求出IC，
结合输出回路电路图即可求出UCE。
结合UCE判断你的假设正不正确。
这样能快速分析晶体管的状态，但是存在着一定无处，有可能分析出来的结果在临界饱和或者截止附近，容易判断出错。如果是这种情况的话，要么还是用图解法再分析一次，要么就用上你的电表测试吧。
个人觉得，楼主是将两种方法混在了一起（也不是说不能这样），但你既然用了近似分析，就要承担近似分析带来的误差，如果出现楼主所描述情况，最好就单纯图解法，或者实际量一下。
来自一个模电初学者的理解。。。。
老司机们轻喷。。。。
（PS：楼主最后结合图解得出ICQ，UCE和直接输出回路分析得出ICQ，UCE是一样道理，如果得出UCE小于UBE（小的程度大一点，那么误差可以忽略），认为就是在饱和区了）

Answer 3

从本期视频开始，逐步讲解晶体管差动式放大电路，以及后期的带有恒流源电路的差动式放大电路。