晶闸管阻断时，其可能承受的电压大小决定于什么？

Answer 1

晶闸管阻断时，其可能承受的电压大小决定于制造工艺，也就是取决于基板的厚度、基板宽度、电击所掺的杂质的量大小。

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0。

晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）。

当晶闸管承受正向阳极电压阻断，而门极未受电压的情况下，晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。

当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig，由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2，产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1，产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。

这样强烈的正反馈过程迅速进行。当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，1-（a1+a2）≈0，因此提高了晶闸管的阳极电流Ia。这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。

扩展资料

晶闸管对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及抑制过电压的方法。

过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。

主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管是很危险的。

例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的 2至10多倍。

一般地，开闭速度越快过电压越高，在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。

参考资料来源：百度百科-晶体闸流管

Answer 2

　　晶闸管所承受电压是由它本身生产工艺而定的，一般各型号的晶闸管都有它的耐压值，而且是指它的峰值耐压。这可查阅有关手册。使用它的时候一般取它的一半耐压值就可以了，如果电路是100V，那么选择管子时只能选耐压超过200V的。
　　晶闸管：晶体闸流管（英语：Thyristor），简称晶闸管，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现与主要的一种是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。

Answer 3

阻断时承受的电压大小由晶闸管本身参数决定，即如普通的三级管一样，Vce间的电压有的几十V,有点几千V,如行管上千V。

Answer 4

晶闸管所承受电压是由它本身生产工艺而定的，一般各型号的晶闸管都有它的耐压值，而且是指它的峰值耐压。这可查阅有关手册。我们在使用它的时候一般取它的一半耐压值就可以了，如果电路是100V，那么选择管子时只能选耐压超过200V的。

Answer 5

不同晶闸管的检测方式介绍

（一）单向晶闸管的检测
1．判别各电极 根据普通晶闸管的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此，通过用万用表R×100A或R×1k档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。

具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆（kΩ），而另一次阻值为几百欧姆（Ω），则可判定黑表笔接的是门极G。在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其它电极，直到找出三个电极为止。

也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。

普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。例如：

螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。

平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。

金属壳封装（TO–3）的普通晶闸管，其外壳为阳极A。

塑封（TO–220）的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。图8-15为几种普通晶闸管的引脚排列。

2．判断其好坏 用万用表R×1k档测量普通晶体管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大（∞）若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。

测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值（实际测量结果较普通二极管的正、反向电阻值小一些），即正向电阻值较小（小于2 kΩ），反向电阻值较大（大于80 kΩ）。若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近，则说明该晶闸管已失效，其G、K极间PN结已失去单向导电作用。

测量阳极A与门极G之间的正、反向电阻，正常时两个阻值均应为几百千欧姆（kΩ）或无穷大，若出现正、反向电阻值不一样（有类似二极管的单向导电），则是G、A极之间反向串联的两个PN结中的一个已击穿短路。

3．触发能力检测 对于小功率（工作电流为5A以下）的普通晶闸管，可用万用表R×1档测量。测量时黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，此时表针不动，显示阻值为无穷大（∞）。用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门极短路（见图8-16），相当于给G极加上正向触发电压，此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆（具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异），则表明晶闸管因正向触发而导通。再断开A极与G极的连接（A、K极上的表笔不动，只将G极的触发电压断掉），若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动，则说明此晶闸管的触发性能良好。

对不求甚解作电流在5A以上的中、大功率普通晶闸管，因其通态压降VT、维持电流IH及门极触发电压VG均相对较大，万用表R×1档所提供的电流偏低，晶闸管不能完全导通，故检测时可在黑表笔端串接一只200Ω可调电阻和1~3节1.5V干电池（视被测晶闸管的容量而定，其工作电流大于100A的，应用3节1.5V干电池），如图8-17所示。

也可以用图8-18中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中，VT为被测晶闸管，HL为6.3V指示灯（手电筒中的小电珠），GB为6V电源（可使用4节1.5V干电池或6V稳压电源），S为按钮，R为限流电阻。

当按钮S未接通时，晶闸管VT处于阻断状态，指示灯HL不亮（若此时HL亮，则是VT击穿或漏电损坏）。按动一下按钮S后（使S接通一下，为晶闸管VT的门极G提供触发电压），若指示灯HL一直点亮，则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低，则表明晶闸管性能不良、导通压降大（正常时导通压降应为1V左右）。若按钮S接通时，指示灯亮，而按钮断开时，指示灯熄灭，则说明晶闸管已损坏，触发性能不良。

（二）双向晶闸管的检测

1．判别各电极 用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值，若测得某一管脚与其它两脚均不通，则此脚便是主电极T2。

找出T2极之后，剩下的两脚便是主电极T1和门极G3。测量这两脚之间的正反向电阻值，会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小（约几十欧姆）的一次测量中，黑表笔接的是主电极T1，红表笔接的是门极G。

螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为主电极T1。

金属封装（TO–3）双向晶闸管的外壳为主电极T2。

塑封（TO–220）双向晶徊管的中间引脚为主电极T2，该极通常与自带小散热片相连。

图8-19是几种双向晶闸管的引脚排列。

2．判别其好坏 用万用表R×1或R×10档测量双向晶闸管的主电极T1与主电极T2之间、主电极T2与门极G之间的正、反向电阻值，正常时均应接近无穷大。若测得电阻值均很小，则说明该晶闸管电极间已击穿或漏电短路。

测量主电极T1与门极G之间的正、反向电阻值，正常时均应在几十欧姆（Ω）至一百欧姆（Ω）之间（黑表笔接T1极，红表笔接G极时，测得的正向电阻值较反向电阻值略小一些）。若测得T1极与G极之间的正、反处电阻值均为无穷大，则说明该晶闸管已开路损坏。

3．触发能力检测 对于工作电流为8A以下的小功率双向晶闸管，可用万用表R×1档直接测量。测量时先将黑表笔接主电极T2，红表笔接主电极T1，然后用镊子将T2极与门极G短路，给G极加上正极性触发信号，若此时测得的电阻值由无穷大变为十几欧姆（Ω），则说明该晶闸管已被触发导通，导通方向为T2→T1。

再将黑表笔接主电极T1，红表笔接主电极T2，用镊子将T2极与门极G之间短路，给G极加上负极性触发信号时，测得的电阻值应由无穷大变为十几欧姆，则说明该晶闸管已被触发导通，导通方向为T1→T2。

若在晶闸管被触发导通后断开G极，T2、T1极间不能维持低阻导通状态而阻值变为无穷大，则说明该双向晶闸管性能不良或已经损坏。若给G极加上正（或负）极性触发信号后，晶闸管仍不导通（T1与T2间的正、反向电阻值仍为无穷大），则说明该晶闸管已损坏，无触发导通能力。

对于工作电流以8A以上的中、大功率双向晶闸管，在测量其触发能力时，可先在万用表的某支表笔上串接1~3节1.5V干电池，然后再用R×1档按上述方法测量。

对于耐压为400V以上的双向晶闸管，也可以用220V交流电压来测试其触发能力及性能好坏。

图8-20是双向晶闸管的测试电路。电路中，EL为60W/220V白炽灯泡，VT为被测双向晶闸管，R为100Ω限流电阻，S为按钮。

将电源插头接入市电后，双向晶闸管处于截止状态，灯泡不亮（若此时灯泡正常发光，则说明被测晶闸管的T1、T2极之间已击穿短路；若灯泡微亮，则说明被测晶闸管漏电损坏）。按动一下按钮S，为晶闸管的门极G提供触发电压信号，正常时晶闸管应立即被触发导通，灯泡正常发光。若灯泡不能发光，则说明被测晶闸管内部开路损坏。若按动按钮S时灯泡点亮，松手后灯泡又熄灭，则表明被测晶闸管的触发性能不良。

（三）门极关断晶闸管的检测

1．判别各电极 门极关断晶闸管三个电极的判别方法与普通晶闸管相同，即用万用表的R×100档，找出具有二极管特性的两个电极，其中一次为低阻值（几百欧姆），另一次为阻值较大。在阻值小的那一次测量中，红表笔接的是阴极K，黑表笔接的是门极G，剩下的一只引脚为阳极A。

2．触发能力和关断能力的检测 可关断晶闸管触发能力的检测方法与普通晶闸管相同。检测门极关断晶闸管的关断能力时，可先按检测触发能力的方法使晶闸管处于导通状态，即用万用表R×1档，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，测得电阻值为无穷大。再将A极与门极G短路，给G极加上正向触发信号时，晶闸管被触发导通，其A、K极间电阻值由无穷大变为低阻状态。断开A极与G极的短路点后，晶闸管维持低阻导通状态，说明其触发能力正常。再在晶闸管的门极G与阳极A之间加上反向触发信号，若此时A极与K极间电阻值由低阻值变为无穷大，则说明晶闸管的关断能力正常，图8-21是关断能力的检测示意图。

也可以用图8-22所示电路来检测门极关断晶闸管的触发能力和关断能力。电路中，EL为6.3V指示灯（小电珠），S为转换开关，VT为被测晶闸管。当开关S关断时，晶闸管不导通，指示灯不亮。将开关S的K1触点接通时，为G极加上正向触发信号，指示灯亮，说明晶闸管已被触发导通。若将开关S断开，指示灯维持发光，则说明晶闸管的触发能力正常。若将开关S的K2触点接通，为G极加上反向触发信号，指示灯熄灭，则说明晶闸管的关断能力正常。

（四）温控晶闸管的检测

1．判别各电极 温控晶闸管的内部结构与普通晶闸管相似，因此也可以用判别普通晶闸管电极的方法来找出温控晶闸管的电极。

2．性能检测 温控晶闸管的好坏也可以用万用表大致测出来，具体方法可参考普通晶闸管的检测方法。

图8-23是温控晶闸管的测试电路。电路中，R是分流电阻，用来设定晶闸管VT的开关温度，其阻值越小，开关温度设置值就越高。C为抗干扰电容，可防止晶闸管VT误触发。HL为6.3V指示灯（小电珠），S为电源开关。

接通电源开关S后，晶闸管VT不导通，指示灯HL不亮。用电吹风“热风档”给晶闸管VT加温，当其温度达到设定温度值时，指示灯亮，说明晶闸管VT已被触发导通。若再用电吹风“冷风”档给晶闸管VT降温（或待其自然冷却）至一定温度值时，指示灯能熄灭，则说明该晶闸管性能良好。若接通电源开关后指示灯即亮或给晶闸管加温后指示灯不亮、或给晶闸管降温后指示灯不熄灭，则是被测晶闸管击穿损坏或性能不良。

（五）光控晶闸管的检测

用万用表检测小功率光控晶闸管时，可将万用表置于R×1档，在黑表笔上串接1~3节1.5V干电池，测量两引脚之间的正、反向电阻值，正常时均应为无穷大。然后再用小手电筒或激光笔照射光控晶闸管的受光窗口，此时应能测出一个较小的正向电阻值，但反向电阻值仍为无穷大。在较小电阻值的一次测量中，转业有笔接的是阳极A，红表笔接的是阴极K。

也可用图8-24中电路对光控晶闸管进行测量。按通电源开关S，用手电筒照射晶闸管VT的受光窗口、为其加上触发光源（大功率光控晶闸管自带光源，只要将其光缆中的发光二极管或半导体激光器加上工作电压即可，不用外加光源）后，指示灯EL应点亮，撤离光源后指示灯EL应维持发光。

若接通电源开关S后（尚未加光源），指示灯EL即点亮，则说明被测晶闸管已击穿短路。若接通电源开关、并加上触发光源后，指示灯EL仍不亮，在被测晶闸管电极连接正确的情况下，则是该晶闸管内部损坏。若加上触发光源后，指示灯发光，但取消光源后指示灯即熄灭，则说明该晶闸管触发性能不良。

（六）BTG晶闸管的检测

1．判别各电极 根据BTG晶闸管的内部结构可知，其阻极A、阴极K之间和门极G、阴极K之间均包含有多个正、反向串联有PN结，而阳极A与门极G之间却只有一个PN结。因此，只要用万用表测出A极和G极即可。

将万用表置于R×1k档，两表笔任接被测晶闸管的某两个引脚（测其正、反向电阻值），若测出某对引脚为低阻值时，则黑表笔接的阳极A，而红表笔接的是门极G，另外一个引脚即是阴极K。

2．判断其好坏 用万用表R×1k档测量BTG晶闸管各电极之间的正、反向电阻值。正常时，阳极A与阴极K之间的正、反向电阻均为无穷大；阳极A与门极G之间的正向电阻值（指黑表笔接A极时）为几百欧姆至几千欧姆，反向电阻值为无穷大。若测得某两极之间的正、反向电阻值均很小，则说明该晶闸管已短路损坏。

3．触发能力检测 将万用表置于R×1档，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，测得阻值应为无穷大。然后用手指触摸门极G，给其加一个人体感应信号，若此时A、K之间的电阻值由无穷大变为低阻值（数欧姆），则说明晶闸管的触发能力良好。否则说明此晶闸管的性能不良。

（七）逆导晶闸管的检测

1．判别各电极 根据逆导晶闸管内部结构可知，在阳极A与阴极K之间并接有一只二极管（正极接K极），而门极G与阴极K之间有一个PN结，阳极A与门极之间有多个反向串联有PN结。

用万用表R×100档测量各电极之间的正反向电阻值时，会发发有一个电极与另外两个电极之间正、反向测量时均会有一个低阻值，这个电极就是阴极K。将黑表笔接阴极K，红表笔依次去触碰另外两个电极，显示为低阻值的一次测量中，红表笔接的是阳极A。再将红表笔接阴极K，黑表笔依次触碰另外两电极，显示低阻值的一次测量中，黑表笔接的便是门极G。

2．测量其好坏 用万用表R×100或R×1k档测量反向导通晶闸管的阳极A与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时，正向电阻值（黑表笔接A极）为无穷大，反向电阻值为几百欧姆至几千欧姆（用R×1k档测量为7kΩ左右，用R×100档测量为900Ω左右）。若正、反向电阻值均为无穷大，则说明晶闸管内部并接的二极管已开路损坏。若正反向电阻值为很小，则是晶闸管短路损坏。

正常时反向导通晶闸管的阳极A与门极G之间的正、反向电阻值均为无穷大。若测得A、G极之间的正、反向电阻值均很小，则说明晶闸管的A、G极之间击穿短路。

正常时反向导通晶闸管的门极G与阴极K之间的正向电阻值（黑表笔接G极）为几百欧姆至几千欧姆，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均为无穷大或均很小，则说明该晶闸管G、K极间已开路或短路损坏。

3．触发能力检测 反向导通晶闸管的触发能力的检测方法与普通晶闸管相同。用万用表R×1档，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K（大功率晶闸管应在黑表笔或红表笔上串接1~3节1.5V干电池）,将A、G极间瞬间短路，晶闸管即能被触发导通，万用表上的读数会由无穷大变为低阻值。若不能由无穷大变为低阻值，则说明被测晶闸管的触发能力不良。

（八）四端晶闸管的检测

1．判别各电极 四端晶闸管多采用金属壳封装，图8-25是其管脚排列底视图。从管键（管壳上的凸起处）开始看，顺时针方向依次为阴极K，阴极门极GK、阳极门极GA、阳极A。

2．判断其好坏 用万用表R×1k档，分别测量四端晶闸管各电极之间的正、反电阻值。正常时，阳极A与阳极门极GA之间的正向电阻值（黑表笔接A极）为无穷大，反向电阻值为4~12kΩ；阳极门极GA与阴极门极GK之间的正向电阻值（黑表笔接GA）为无穷大，反向电阻值为2~10 kΩ；阴极K与阴极控制极GK之间的正向电阻值（黑表笔接K）为无穷大，反向电阻值为4~12 kΩ。

若测得某两极之间的正、反向电阻值均较小或均为无穷大，则说明该晶闸管内部短路或开路。

3．触发能力检测 用万用表R×1k档，黑表笔接随时随地极A，红表笔接阴极K，此时电阻值为无穷大。若将K极与阳极门极GA瞬间短路、给GA极加上负触发脉冲电压时，A、K极间电阻值由无穷大迅速变为低阻值，则说明该晶闸管GA极的触发能力良好。

断开黑表笔后，再将其与阳极A连接好，红表笔仍接阴极K，万用表显示阻值为无穷大。若将A极与GK极瞬间短路，给GK极加上正向触发电压时，晶闸管A、K极之间的电阻值由无穷大变为低阻值，则可判定该晶闸管GK极的触发能力良好。

若将K、GA极或A、GA极短路时，A、K极之间的电阻值极仍为无穷大，则说明该晶闸管内部开路损坏或性能不良。

4．关断性能检测 在四端晶闸管被触发导通状态时，若将阳极A与阳极门极GA或阴极K与阴极门极GK瞬间短路，A、K极之间的电阻值由低阻值变为无穷大，则说明被测晶闸管的关断性能良好。

5．反向导通性能检测 分别将晶闸管的阳极A与阳极门极GA、阴极K与阴极门极短接后，用万用表R×1k档、黑表笔接A极，红表笔接K极，正常时阻值应为无穷大；再将两笔对调测量，K、A极间正常电阻值应为低阻值（数千欧姆）。